Siliziumkarbid-Power-MOSFET Erstes qualifiziertes Six-Pack-Power-Modul in SiC

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Infineon)

Mit diesem Sixpack für Tranktionsanwendungen stellt Infineon ihr HybridPACK Drive CoolSiC vor. Nach eigenen Angaben ist es das industrieweit erste SiC-MOSFET-Modul seiner Art. Die Neuentwicklung ist ein Vollbrückenmodul mit 1200 V Sperrspannung, das für den Einsatz in Traktionsumrichtern für Elektrofahrzeuge optimiert ist. Das Leistungsmodul basiert auf der CoolSiC-Trench-MOSFET-Technologie für Automotive-Anwendungen und ermöglicht laut Infineon eine höhere Effizienz, Leistungsdichte und Performance. Damit führe das Modul zu einem höheren Wirkungsgrad in Umrichtern und ermöglicht größere Kfz-Reichweiten bei niedrigeren Batteriekosten – insbesondere in Fahrzeugen mit 800-V-Batteriesystemen und einer großen Batteriekapazität. Bei gleichem Platzbedarf erlaube das HybridPACK Drive CoolSiC einen einfachen Umstieg von Silizium auf Siliziumkarbid. Damit habe das Umrichter-Design eine höhere Leistung bis 250 kW für die 1200-V-Klasse und erziele eine größere Kfz-Reichweite, eine kleinere Batteriegröße sowie eine optimiere Systemgröße bei niedrigeren Kosten. Es gibt das Modul in zwei Versionen mit unterschiedlicher Chip-Zahl für 400 oder 200 A DC-Nennstrom. Neben der Verbesserung der Leistung liegt ein weiterer Fokus auf der Zuverlässigkeit. Die CoolSiC-Automotive-MOSFETs wurden entwickelt und getestet, um die Kurzschluss- und Höhenstrahlungsfestigkeit sowie ein hohes Maß an Gateoxid-Robustheit zu erreichen, die für die Entwicklung effizienter und zuverlässiger Traktionsumrichter für Fahrzeuge und andere Hochvoltanwendungen entscheidend sind.

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