Chipfertigung

X-FAB startet RF-CMOS-Prozess

17.10.2006 | Redakteur: Gerd Kucera

Thomas Hartung, X-FAB: „Durch Aufbringen von vier Belichtungsebenen auf einer Maske lassen sich die Kosten pro Maske bis zu 25% reduzieren.“
Thomas Hartung, X-FAB: „Durch Aufbringen von vier Belichtungsebenen auf einer Maske lassen sich die Kosten pro Maske bis zu 25% reduzieren.“

Der Halbleiterproduzent X-FAB startet ein zweistufiges HF-CMOS-Programm für Kommunikationstechnologien mit 0,35- und 0,18-µm-RF-CMOS-Prozessen, das die optimierte Kombination von HF-CMOS

Der Halbleiterproduzent X-FAB startet ein zweistufiges HF-CMOS-Programm für Kommunikationstechnologien mit 0,35- und 0,18-µm-RF-CMOS-Prozessen, das die optimierte Kombination von HF-CMOS mit allen verfügbaren Prozessoptionen inklusive High-Voltage und Non-Volatile Memory erlaubt.

Die Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry X-FAB erweitert ihre Technologiefertigkeiten im Bereich Kommunikation. Ein neues HF-CMOS-Programm ergänzt den vorhandenen Basisprozess und wird zu bedeutend kürzeren Entwicklungszeiten für HF-Produkte führen. Das zweistufige Projekt umfasst den neu eingeführten XH035 RF-CMOS-Prozess, der einen einfachen Zugang zu Bibliothekselementen für ISM-Band- und ZigBee-Anwendungen ermöglicht, sowie einen 0,18-µm-HF-CMOS-Prozess, der im Laufe des ersten Halbjahres 2007 zur Verfügung stehen wird und verschiedene modulare Optionen inklusive Non-Volatile Speicherlösungen und High-Voltage-Funktionalität bietet.

Design-IPs können wiederverwendet werden

„Wir sind stolz darauf, unser Angebot auf dieses neue Anwendungsgebiet ausweiten zu können“, freut sich Thomas Hartung, Vice President Sales & Marketing bei X FAB, „unsere Kunden erhalten den bekannt einfachen Zugang zu diesen Technologien und profitieren von zuverlässigen Modellen und verkürzten Entwicklungszeiten. Das neue Technologieangebot unterstützt die Produkt-Roadmap vieler auf HF-Komponenten spezialisierter Unternehmen bei der Entwicklung von Schaltkreisen für Kommunikationsanwendungen unter Nutzung unserer Design-Kits.“

Weil dieser neue Ansatz auf den bereits existierenden 0,35- und 0,18-µm-Prozessplattformen aufbaut, können X-FAB-Kunden ihre aktuelle Design-IPs in der bestehenden Design-Umgebung Kosten sparend wieder verwenden.

Zugang zum 2,4-GHz-ISM-Frequenzband sowie ZigBee-Anwendungen

Der neue XH035 RF-CMOS-Prozess bietet einen einfachen Zugang zum weltweit genutzten Industrial Scientific and Medical (ISM-) 2,4-GHz-Frequenzband sowie zu ZigBee-Anwendungen für Produkte, die ebenfalls den 2,4-GHz-Bereich nutzen. ZigBee ist eine kostengünstige, standardbasierte kabellose Netzwerklösung, die niedrige Datenraten und geringen Energieverbrauch bietet und als sicher und zuverlässig gilt.

Hartung: „Unser neuer Prozess erlaubt es, den 0,35-µm-Basisprozess beliebig mit existierenden X-FAB-Modulen zu kombinieren. Es lässt sich ein Teil des Basisprozesses zu einer existierenden Plattform hinzufügen, was die zeit- und kostenintensive Umsetzung auf eine andere Plattform überflüssig macht.“

Der neue XH035 RF-CMOS-Prozess bietet unter anderem Induktoren, Varaktoren, MIM-Kapazitäten und HF-MOS-Transistoren und ist zusammen mit verschiedenen Versionen digitaler Bibliotheken (einschließlich einer 3,3-V-Standardbibliothek und einer isolierten 3,3-V-Variante) erhältlich. X-FAB stellt kostenoptimierte Prototypenlösungen wie Multi-Project-Wafer-Runs und Multi-Layer-Masken zur Verfügung.

X-FAB Silicon Foundries, Tel. +49(0)361 4276160

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