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29.06.2015

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Die nächste Generation für Automobil, Industrie und Medizin

Ihr neues Angebot an 40- und 60-V-HV-Schaltungselementen für die 180-nm-SOI-Plattform XT018 ist leistungsstärker als Bulk-CMOS-Technologien, betont die X-FAB in Erfurt. Sie erlaube gleichzeitig eine Kostenersparnis bis zu 30%.

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19.05.2015

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Production Process for High-Volume GaN-on-Silicon Devices on 200mm Wafers

X-FAB Silicon Foundries and Exagan have entered into a joint development agreement to industrialize Exagan’s GaN-on-silicon technology and begin producing high-speed power switching devices on 200mm wafers.

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07.05.2015

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Integrierte Photodioden im ultravioletten Spektralbereich

Die Quanteneffizienz der 0,35 µm UV-Photodioden von X-FAB beträgt über 70 Prozent. Das erreichten bisher vor allem diskrete Dioden.

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08.07.2014

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Mehr als 2000 m2 neue MEMS-Reinraumfläche

Die Erweiterung der MEMS-Fertigungskapazitäten an den deutschen Standorten Erfurt und Itzehoe hat X-FAB erfolgreich fortgesetzt und damit einen wichtigen Meilenstein erreicht.

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06.03.2014

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Analog-/Mixed-Signal-Foundry X-FAB wächst und strukturiert um

Die strategische Ausrichtung des Produktangebots und der Managementstruktur soll für X-FAB die Grundlage für zukünftiges Wachstum sein. Im letzten Jahr wuchs der Umsatz zweistellig.

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18.06.2013

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X-FAB optimiert 180-nm-Prozess für portable Analoganwendungen

Ein neues XP018-Grundmodul reduziert die Ebenenanzahl für den 5-V-Einsatz von Chips und neue Optionen mit geringem Einschaltwiderstand für 5-V- und 12-V-MOS-Treiber-Transistoren verringern die Chipkosten.

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26.02.2013

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XT018 erlaubt mehrere Hochvolt-Spannungen auf nur einem Chip

Der neue Prozess erlaubt MOS-Schaltungen mit einer Spannung bis 200 V. Er vereint vollständig isolierte HV-MOS-Transistoren in 180-nm-Technologie für 1,8/5,0-V-I/O und bis zu sechs Verdrahtungsebenen.

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21.11.2012

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XT018 erlaubt mehrere Hochvolt-Spannungen auf nur einem Chip

Mit XT018 präsentiert X-FAB Silicon Foundries die weltweit erste dielektrisch isolierte 180-nm-Trench-SOI-Foundry-Technologie vor, die MOS-Schaltungen mit einer Spannung bis 200 V ermöglicht. Durch die dielektrische Isolation dieses modularen Prozesses lassen sich Blöcke auf vers...

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08.10.2012

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X-FAB investiert 40 Millionen Euro in das Geschäftsfeld MEMS

In den nächsten drei Jahren wird X-FAB Silicon Foundries rund 40 Millionen Euro in den Geschäftsbereich MEMS (mikroelektromechanische Systeme) investieren.

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24.09.2012

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Neuer Foundryservice für Drei-Achsen-Inertialsensoren von X-FAB

Mehr als 1 Mrd. MEMS-Elemente hat X-FAB Silicon Foundries bis heute ausgeliefert. Jetzt gibt es den weltweit ersten frei verfügbaren 3-Achsen-Inertialsensorenprozess.

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13.06.2012

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X-FAB führt neuen Prozess für Ultrahochvolt-Schaltkreise ein

XU035 von X-FAB ist ein 700V-CMOS-Prozess in 0,35 µm mit der weltweit geringsten Maskenzahl für Konsumgüteranwendungen in den Bereichen Leistungsumwandlung und -steuerung.

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26.08.2011

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Micronas beteiligt sich an X-FAB und geht eine strategische Partnerschaft ein

Im Rahmen der Zusammenarbeit als Foundry- und Technologiepartner im Bereich 0,18-µm-Hochvolt-CMOS mit Embedded-Flash beteiligt sich Micronas an der X-FAB.

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05.07.2011

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X-FAB erweitert ihren 0,18-µm-Hochvolt-Foundryprozess um die XH018-eFlash-Option

Der 0,18-µm-Hochvolt-Prozess XH018 ist eine äußerst zuverlässige, neue integrierte eFlash-Lösung. Mit der weltweit geringsten Maskenanzahl von insgesamt nur 32 Masken für die Kombination von Digital-, Analog- und Hochvoltfunktionen inklusive eFlash.

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14.02.2011

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Rudi de Winter erweitert Management als Co-CEO

Die X-FAB Silicon Foundries Gruppe hat ihr Management-Team erweitert. Rudi De Winter, der auch in den Aufsichtsrat berufen wird, ist dem Unternehmen am 14. Februar 2011 als Co-CEO beigetreten.

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21.07.2010

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Erste 0,35-µm-Foundrytechnologie mit Spannungsbereich von 45 bis 100 V verkleinert Transistoren

Die Erfurter Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry X-FAB kündigte den ersten 100-V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-µm-Technologie an. Damit ist eine neue Klasse von hochleistungsfähigen Batterieüberwachungs- und Batterieschutzsystemen möglich.

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11.06.2010

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Erfurter Foundry etabliert MEMS-Zentrum zur hochmodernen Serienfertigung von 200-mm-MEMS-Wafern

Seit über zehn Jahren bietet X-FAB in Erfurt MEMS-Foundryleistungen an. Um die Nachfrage nach hohen Stückzahlen etwa für den Konsumgütermarkt begegnen zu können, erweitert die Foundry ihre Dienste um eine 200-mm-MEMS-Waferfertigung.

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04.03.2010

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Erfurter Foundry offeriert weltweit erstmalig monolithische nichtflüchtige RAM-Speicherblöcke

Durch die jetzt verfügbare XH018-Prozessoption, kombiniert mit einem NVRAM-Compiler, lassen sich die Vorteile von SRAMs mit denen von nichtflüchtigen Speichern in einem monolithisch integrierten Embedded NVRAM nutzen.

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19.01.2010

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Branchenerster Foundryprozess für optoelektronische Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Der jetzt von der Halbleiter-Foundry X-FAB freigegebene Fertigungsprozess XO035 ist speziell auf Blu-ray- und optische Datenkommunikationsmärkte zugeschnitten.

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08.12.2009

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Foundry erweitert technischen Support und startet IP- und Design-Partner-Netzwerk

Die Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry X-FAB etabliert eine umfangreiche Erweiterung ihres Dienstleistungsangebotes. Zum vielfältigen Nutzen gehört u.a. eine schnellere Marktreife der Chips und die optimierte Organisation der Lieferkette. Industrieweit neu ist der ESD-Beratung...

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19.11.2009

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Waferhersteller ringen um Balance zwischen Kosten, Know-how und Wettbewerb

Das Know-how, das sich hinter der Technik und dem Prozess in einem Reinraum verbirgt, ist das eine. Die Kompetenzen des Fachpersonals sind das andere. Beides wirtschaftlich miteinander zu verbinden und sich trotzdem vom Wettbewerb abzuheben ist die Kunst.

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23.09.2009

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Der erste CMOS-Foundryprozess für Hochtemperatur-Analog/Mixed-Signal-Anwendungen

Der neuer XA035-Prozess von X-FAB ermöglicht die Bestimmung von Lebensdauer- und Temperatur-Profilen sowie die Herstellung von Schaltkreisen für Automobil- und andere Anwendungen mit Betriebstemperaturen bis 175 °C.

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04.08.2009

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Mit der begehrten AEO-Zertifizierung sind die Foundry-Standorte Erfurt und Dresden zugelassene Wirtschaftsbeteiligte

Die X-FAB-Silicon-Foundries-Gruppe gilt als die weltweit führende Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry und hat für ihre deutschen Standorte Erfurt und Dresden den Status des „zugelassenen Wirtschaftsbeteiligten“ (AEO: Authorized Economic Operator) erhalten.

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27.06.2008

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Europas erfolgreichste Foundry hat neuen Prozess für Kfz- und Power-Anwendungen

Die X-FAB Silicon Foundries Gruppe hat mit einem Umsatzplus von rund 66% ihren Wachstumskurs 2007 erfolgreich fortgesetzt. Die Umsatzerlöse beliefen sich auf 409,9 Mio. US-$ (299,3 Mio. €) gegenüber 246,7 Mio. US-$ (196,6 Mio. €) im Vorjahr.

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13.09.2007

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0,35-µm-Analog/Mixed-Signal-Plattform XH035 erweitert

Zur Kombination von digitalen und analogen Technologien, Hochvolttechnologien mit geringem On-Widerstand sowie integrierten nichtflüchtigen Speicheroptionen stellt X-FAB einen modularen 0,35-µm-Foundry-Prozess vor. Dieser soll kostengünstige und kleinere Designs ermöglichen.

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28.08.2007

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Foundry-Gruppe meldet Umsatz- und Gewinnsprung im ersten Halbjahr

Der Erfurter Halbleiter-Hersteller X-Fab, Spezialst für gemischt analog-digitale Anwendungen, hat im ersten Halbjahr einen Umsatz- und Gewinnsprung verzeichnet. Die Erlöse seien mit 186,2 Mio. US-$ (137 Mio. Euro) um 69% höher als im Vorjahreszeitraum gewesen, teilte das Unterne...

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29.03.2007

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X-FAB übernimmt ZMDs Foundry-Geschäft

Konsolidierung im deutschen Halbleitermarkt: Die X-FAB Semiconductor Foundries AG in Erfurt übernimmt die Waferfertigung der ZMD AG am Standort Dresden, die als ZFOUNDRY (ZMD Analog Mixed Signal Services GmbH & Co. KG) firmiert.

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19.02.2007

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Monte-Carlo-Simulation liefert stabilere Designs für Analog/Mixed-Signal-Schaltungen

Die jetzt erfolgte Integration der Monte-Carlo-Simulation in den modularen Wafer-Fertigungsprozess von X-Fab hilft entscheidend bei der statistischen Modellierung von Analog/Mixed-Signal-Schaltungen. Schaltkreisoptimierungen mit statistischen und Worst-Case-Szenarien haben nun st...

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17.10.2006

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X-FAB startet RF-CMOS-Prozess

Der Halbleiterproduzent X-FAB startet ein zweistufiges HF-CMOS-Programm für Kommunikationstechnologien mit 0,35- und 0,18-µm-RF-CMOS-Prozessen, das die optimierte Kombination von HF-CMOS

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