Power-Trends 2015

Wuchtiger Wachstumsschub in der SiC-Leistungselektronik

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Silizium-MOSFETs bleiben der größte Rivale

Eine Herausforderung, mit der Hersteller von SiC-Power-Komponenten bereits in den vergangenen Jahren konfrontiert waren, bleibt auch 2015 bestehen: Die Systemkosten müssen weiter gesenkt und die System-Performance gleichzeitig erhöht werden.

Die innovativen Lösungen wie etwa von Cree sind hier branchenweit richtungsweisend. Sie tragen dazu bei, die Aufwendungen auf der Systemebene zu senken und zahlen sich daher schneller für den Nutzer aus.

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Mit der wachsenden Zahl von Unternehmen, die Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter und entsprechende Module herstellen, erwartet Cree für das Jahr 2015 eine noch höhere Akzeptanz der SiC-MOSFETs und Dioden, weil dem Kunden damit nun auch mehrere Sources zur Verfügung stehen.

„Der größte Rivale für Power-Produkte aus Siliziumkarbid sind und bleiben IGBTs & MOSFETs auf Silizium-Basis“, resümiert Dieter Liesabeths, „da jedoch das Optimierungspotenzial bei Silizium ausgereift ist, gehen wir davon aus, dass SiC erheblich zulegen wird, vor allem in Anwendungen mit mittleren und hohen Volt-Zahlen; das Spektrum reicht von USV-Systemen über die elektrische Antriebstechnik bis zu Komponenten für die Energieerzeugung und Verteilanlagen.“

Was den Mitgründer von Cree, John Palmour begeistert, sind die Anwendungen, die bisher noch kaum jemand in Betracht gezogen hat: „Siliziumkarbid hat inhärente Vorteile für Hochspannungsanwendungen, in denen herkömmliche Anwendungen nicht als wettbewerbsfähige Alternativen angesehen werden. Ich gehe fest davon aus, dass Hochspannungsanwendungen eine ganze Reihe neuer Möglichkeiten eröffnen.“

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