Willkommen zum 5. Praxisforum elektrische Antriebstechnik

Nicht wenige Antriebshersteller haben bereits Erfahrungen mit Siliziumkarbid-Bauelementen gesammelt; doch nur selten gekoppelt mit konkreten Produktentwicklungen, sondern eher um ungenutzte Leistungsreserven auszuloten.

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SiC-Halbleiter bieten große Potenziale, etwa hinsichtlich Reduzierung der Verlustleistung. Aber man bekommt die Vorteile nicht geschenkt. Insbesondere beim schnell Schalten wird jedes kurze Stück Draht zur Induktivität, jede parallele Fläche zum Kondensator oder alles zusammen zum Schwingkreis.

Auf dem Praxisforum Elektrische Antriebstechnik zeigt Dr. Arendt Wintrich, Applikation Manager bei SEMIKRON, detailliert die Einsatzgebiete und was man seitens der Ansteuerung tun kann, um möglichst alle Potenziale zu nutzen. In seinem Vortrag „Ansteuern von SiC-MOSFET im Spannungsfeld Verlustoptimierung, sicherer Betrieb und EMV“ verdeutlicht er unter anderem die Besonderheiten der SiC-Bauelemente und diskutiert Unterschiede zur IGBT- und Low-Voltage-MOSFET-Ansteuerung.

Doch schnell schaltende Umrichter liefern während des Betriebs eine Reihe parasitärer Effekte, etwa einen unerwünschten Stromfluss durch die Motorlager. Dabei auftretende Lichtbogenentladungen im Schmierspalt können Material in den Lagerlaufbahnen aufschmelzen oder verdampfen. Es entsteht eine Riffelbildung. Sie ist gekennzeichnet durch eine senkrecht zur Wälzrichtung orientierte, in die Laufbahn erodierte Berg- und Talstruktur, die die Lagerlebensdauer verkürzt.

Als Senior Engineer befasst sich Dr. Hans Tischmacher bei Siemens mit einer Vielzahl solcher Phänomene. Sein Praxisvortrag beschreibt relevante Einflussgrößen und stellt notwendige Mess- und Analyseverfahren vor, um die resultierende Lagerschädigung zu beurteilen. Das Praxisforum findet von 20. bis 22. März 2018 im Maritim-Kongresszentrum Würzburg statt. Das Programm finden Sie online auf praxisforum-antriebstechnik.de

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