Siliziumkarbid-MOSFETs richtig ansteuern

Wie Sie ideale Gate-Treiber für Ihren SiC-MOSFET entwickeln

Bereitgestellt von: ON Semiconductor

Wie Sie ideale Gate-Treiber für Ihren SiC-MOSFET entwickeln

Sie wollen die vielen Vorteile von SiC-MOSFETs nutzen? Dann müssen Sie Ihre Gate-Treiberschaltung optimal darauf abstimmen. Nur so passen Schalt-Performance und Zuverlässigkeit. Das Whitepaper erläutert, worauf Sie achten sollten.

Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs vereinen das Beste aus zwei Welten: Sie sind in der Lage, gleich hohe Spannungen zu schalten wie ein IGBT, und das bei gleichen oder höheren Frequenzen wie die nur für geringere Spannungen geeigneten traditionellen Silizium-MOSFETs.

Diesen und weiteren Vorteilen stehen aber besondere Anforderungen an die Gate-Treiberschaltung gegenüber, speziell dann, wenn der kleinstmögliche On-Widerstand erreicht werden soll. Denn die meisten SiC-MOSFETs arbeiten nur bei Gate-Spannungen zwischen -5 V und +20 V optimal. Zusätzlich sind bei der Entwicklung des Treibers noch weitere Faktoren zu berücksichtigen, wie die Flankensteilheit der Gate-Spannung, der maximale Spitzenstrom oder die parasitäre Induktivität.

In diesem englischen Whitepaper lernen Sie anhand von Schaltungsbeispielen, Diagrammen und Tabellen,

  • alles über die speziellen Eigenschaften der SiC-MOSFETs wie Transkonduktanz, On- und Off-Widerstände oder den Überstromschutz
  • welche Anforderungen für die optimale Abstimmung Ihrer Gate-Treiberschaltung besonders kritisch sind, damit Sie das bestmögliche Schaltverhalten erreichen und
  • was Sie auf Systemebene bei Themen wie Inbetriebnahme, Fehlerschutz oder stationärem Schalten beachten sollten.

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Publiziert: 04.07.19 | ON Semiconductor

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