Siliziumkarbid-MOSFETs richtig ansteuern

Wie Sie ideale Gate-Treiber für Ihren SiC-MOSFET entwickeln

Whitepaper Cover: ON Semiconductor

Sie wollen die vielen Vorteile von SiC-MOSFETs nutzen? Dann müssen Sie Ihre Gate-Treiberschaltung optimal darauf abstimmen. Nur so passen Schalt-Performance und Zuverlässigkeit. Das Whitepaper erläutert, worauf Sie achten sollten.

Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs vereinen das Beste aus zwei Welten: Sie sind in der Lage, gleich hohe Spannungen zu schalten wie ein IGBT, und das bei gleichen oder höheren Frequenzen wie die nur für geringere Spannungen geeigneten traditionellen Silizium-MOSFETs.

Diesen und weiteren Vorteilen stehen aber besondere Anforderungen an die Gate-Treiberschaltung gegenüber, speziell dann, wenn der kleinstmögliche On-Widerstand erreicht werden soll. Denn die meisten SiC-MOSFETs arbeiten nur bei Gate-Spannungen zwischen -5 V und +20 V optimal. Zusätzlich sind bei der Entwicklung des Treibers noch weitere Faktoren zu berücksichtigen, wie die Flankensteilheit der Gate-Spannung, der maximale Spitzenstrom oder die parasitäre Induktivität.

In diesem englischen Whitepaper lernen Sie anhand von Schaltungsbeispielen, Diagrammen und Tabellen,

  • alles über die speziellen Eigenschaften der SiC-MOSFETs wie Transkonduktanz, On- und Off-Widerstände oder den Überstromschutz
  • welche Anforderungen für die optimale Abstimmung Ihrer Gate-Treiberschaltung besonders kritisch sind, damit Sie das bestmögliche Schaltverhalten erreichen und
  • was Sie auf Systemebene bei Themen wie Inbetriebnahme, Fehlerschutz oder stationärem Schalten beachten sollten.

Wir freuen uns über Ihr Interesse am Whitepaper! Mit nur einem Klick auf den Button können Sie sich das Whitepaper kostenfrei herunterladen. Interessante Einblicke wünscht Ihnen Ihr ELEKTRONIKPRAXIS-Team.

Anbieter des Whitepapers

ON Semiconductor

McDowell Road 5005 E
85008 Phoenix, AZ
USA

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