Ansteuern von SiC-MOSFETs

Wie Sie 1200-V-SiC-MOSFETs richtig einsetzen und betreiben

Cover WP1 On Semi

Diese umfassende Application Note beschreibt die grundsätzlichen Herausforderungen und wichtige Eigenschaften beim Betrieb der 1200-V-SiC-MOSFETs von ON Semiconductor. Was zeichnet sie aus und wie kann man das Optimum beim Einsatz erreichen?

Der Leistungshalbleitermarkt für SiC-MOSFETs nimmt rasant zu, da einige der anfänglichen Bedenken hinsichtlich der Zuverlässigkeit ausgeräumt wurden und das Preisniveau einen attraktiven Punkt erreicht hat. Je mehr Bauteile auf dem Markt verfügbar werden, umso wichtiger ist es, sowohl die Gemeinsamkeiten als auch die Unterschiede zu IGBTs zu verstehen, damit der Anwender das Maximum aus jedem Bauteil herausholen kann.

Diese 26-seitige Applikations-Schrift bietet einen umfassenden Überblick der wichtigsten Eigenschaften der Gen 1 SiC-MOSFETs mit 1200 V von ON Semiconductor und zeigt, wie sie durch die Ansteuerung beeinflusst werden können. Als Teil des von ON Semiconductor angebotenen Ökosystems für Wide-Bandgap-Bausteine enthält dieses Paper auch eine Richtlinie zur Verwendung des NCP51705, eines isolierten Gate-Treibers für SiC-MOSFETs.

Folgende Inhalte erwarten Sie in dieser englischsprachigen Application Note:

  • Wie Sie SiC-MOSFETs optimal nutzen können
  • Statische und dynamische Eigenschaften 1200-V-SiC-MOSFETs
  • Welche Überlegungen beim Ansteuern getroffen werden müssen
  • Tipps zum isolierten Gate-Treiber NCP51705 für SiC-MOSFETs

Anbieter des Whitepapers

ON Semiconductor

McDowell Road 5005 E
85008 Phoenix, AZ
USA

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