Fertigungswerk und Forschungszentrum

Toshiba errichtet neues Fab und Memory R&D Center

| Redakteur: Sebastian Gerstl

Renderentwurf der neuen Anlage Fab 6, die am Toshiba-Standort in Yokkaichi entstehen soll.
Renderentwurf der neuen Anlage Fab 6, die am Toshiba-Standort in Yokkaichi entstehen soll. (Bild: Toshiba)

Toshiba hat heute bekannt gegeben, dass das Unternehmen mit dem Bau einer neuen, hochmodernen Halbleiter-Fertigungsanlage, die Fab 6, und eines neuen Forschungs-und Entwicklungszentrums, dem Memory R&D Center, begonnen hat. Die neuen Anlagen befinden sich im Yokkaichi-Betrieb in der japanischen Präfektur Mie, dem Hauptstandort des Unternehmens für die Speicherproduktion.

Die Fab 6 ist ausschließlich für die Produktion von BiCS FLASH vorgesehen, Toshibas 3D-Flashspeichertechnologie. Wie bei der Fab 5 wird der Bau in zwei Phasen erfolgen, so dass das Investitionstempo im Hinblick auf die Markttrends optimiert werden kann. Die erste Phase soll im Sommer 2018 abgeschlossen sein. Toshiba wird die installierte Kapazität, Produktionsziele und Zeitpläne nach eingehender Untersuchung des Marktes festlegen.

Außerdem baut Toshiba das Memory R&D Center gleich neben der neuen Fab. Die Fertigstellung ist für Dezember 2017 geplant. Die Anlage wird die Entwicklung von BiCS FLASH und neuen Speichern vorantreiben.

Toshiba ist entschlossen, seine Wettbewerbsfähigkeit im Speichergeschäft durch den rechtzeitigen Ausbau der BiCS FLASH-Produktion marktorientiert zu optimieren und seine Position als Innovationsführer im Speichergeschäft beizubehalten.

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