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Stromausfall zerstört mindestens 6 Exabyte NAND-Flash in Toshiba-Memory-Fabs

| Redakteur: Michael Eckstein

Ein Stromausfall hat eine Flash-Fabrik von Toshiba Memory lahmgelegt und Wafer mit mindestens 6 EByte NAND-Flash-Kapazität zerstört. Der Vorfall beschädigte laut Joint-Venture-Partner Western Digital auch Fertigungsmaschinen. Wann die Produktion wieder voll anlaufen kann, ist noch unklar.

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Hochempfindlich: Ein Stromausfall zum Beispiel beim Belichten von Flash-Wafern zerstört die Chips irreparabel.
Hochempfindlich: Ein Stromausfall zum Beispiel beim Belichten von Flash-Wafern zerstört die Chips irreparabel.
(Bild: Clipdealer)

Eine knappe Viertelstunde lang brach Mitte Juni 2019 in der Region Yokkaichi in Japan das Versorgungsnetz zusammen. Die Folgen sind verheerend: Denn hier liegt der Hauptstandort von Toshiba Memory für die Fertigung von NAND-Flash-Speicherbausteinen. Mitten in der Produktion stoppten die Maschinen. Dadurch wurden nach Angaben von Joint-Venture-Partner Western Digital (WD) Wafer mit einer Speicherkapazität von rund 6 EByte zerstört. Das entspricht etwa 1 Mio. Flash-Laufwerken mit 1 TByte Kapazität. Damit nicht genug: Auch Fertigungsmaschinen seien in Mitleidenschaft gezogen worden.

Am riesigen Yokkaichi Operations Campus wird nach Angaben der Branchenanalysten von Trendforce gemessen am Umsatz etwas mehr als ein Drittel der weltweiten NAND-Flash-Produktion gefertigt. Auf dem Areal stehen derzeit die fünf Produktionsstätten Fab 2, Fab 3, Fab 4, Fab 5 und Fab 6. Drei davon produzieren 3D-NAND-Flash-Chips. Auch ein Forschungs- und Entwicklungszentrum ist auf dem Campus beheimatet. Alle Bereiche seien von dem Stromausfall betroffen gewesen.

Toshiba hat bislang nicht bekannt gegeben, welche Auswirkungen der Ausfall in den kommenden Monaten auf seine NAND-Wafer-Versorgung haben wird. Nach eigenen Angaben ist man dabei, die Situation genau zu analysieren, Fehler zu beheben und die Produktion wieder hochzufahren. Die Anlagen sollen „so schnell wie möglich wieder in den normalen Betriebszustand“ versetzt werden – doch bis Ende Juni waren die Bemühungen noch nicht von Erfolg gekrönt.

Bis Mitte Juli sollen alle Fabs wieder normal laufen

Man gehe vielmehr davon aus, „dass der überwiegende Teil der Produktionsanlagen bis Mitte Juli wieder in Betrieb gehen wird.“ Natürlich sei man bemüht, die Auswirkungen auf die Kunden zu minimieren. WD erwartet, dass sich die verringerte Verfügbarkeit hauptsächlich auf das erste Quartal des Geschäftsjahres 2020 auswirken wird.

Marktbeobachter Trendforce geht davon aus, dass der Produktionsausfall beziehungsweise Beeinträchtigungen in allen Fabriken am betroffenen Standort für einen Vertrauensverlust bei den Kunden beider Unternehmen sorgen wird. Auch finanzielle Auswirkungen könnten die Folge sein. Schließlich erhole sich die Toshiba-Fertigung langsamer als erwartet von den Folgen des Stromausfalls.

Möglicher Engpass bei 2D-NAND-Speicherchips im Jahresverlauf

Angesichts der Bedeutung der Yokkaichi-Fabs für die weltweite Flash-Produktion könne das Ereignis zu einem Engpass bei der Versorgung und somit für steigende Preise von 2D-NAND-Flash-Bausteinen ab etwa dem dritten Quartal führen. Die planare 2D-NAND-Technologie gilt als technisch ausgereizt. Hersteller, die noch Storage-Produkte auf dieser Basis fertigen, arbeiten laut Trendforce mit eher kleinen Lagerbeständen – und sind daher durch Nachschubprobleme besonders gefährdet.

Auch ein gebremster Verfall der Preise für 3D-NAND-Flash-Produkte sei eine mögliche Folge. Allerdings werde der Stromausfall den Rückgang der Vertragspreise für 3D-NAND-Produkte, etwa eMMC-/UFS-Komponenten und SSDs, im dritten Quartal nicht komplett stoppen oder gar umkehren. Hier sei der Lagerbestand bei den Herstellern noch hoch, außerdem sei das Angebot bis auf weiteres größer als die Nachfrage.

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