Zuverlässigkeit und Spitzenleistung

Siliziumkarbid-MOSFETs für den Massenmarkt

Bereitgestellt von: ON Semiconductor

Zuverlässigkeit und Spitzenleistung

Siliziumkarbid-MOSFETs für den Massenmarkt

Die Entwicklung von auf Siliziumkarbid basierender Leistungselektronik besitzt ihre Tücken. Die Abstimmung der Komponenten aufeinander und die Interpretation der Parameter stellen große Anforderungen. Im Webinar erfahren Sie, worauf zu achten ist.

Um eine optimale Effizienz bei Bauelementen aus Siliziumkarbid (Silicon Carbide / SiC) zu erreichen, müssen die Komponenten aufeinander abgestimmt sein. Denn diese Technologie besitzt ihre Tücken.

Trotz jahrelanger Forschung an den Grundlagen SiC-basierter MOSFETs und Dioden haben es nur wenige Hersteller geschafft, Herausforderungen wie die Vth-Drift, den H3TRB-(High Humidity, High Temperature Reverse Bias-)Test oder eine gute Steuerbarkeit der Schaltflanken von SiC-MOSFETs zu meistern.

Im Webinar erfahren Sie,

  • welchen Herausforderungen sich SiC-Komponenten stellen müssen,
  • wie eine neue Generation von MOSFETs diese Schwierigkeiten überwindet und den Zuverlässigkeitsanforderungen im Automobilbereich genügt,
  • wie Sie mithilfe modernster physikalischer Modelle komplexe Systeme einer auf Siliziumkarbid-Komponenten basierenden Leistungselektronik in SPICE simulieren können und
  • warum nur aufeinander abgestimmte SiC-MOSFETs, Treiber und Modelle zu einer optimalen Lösung führen.
Durch das Webinar führt Sie:

Mehrdad Baghaie - Global Application Manager







Wir freuen uns über Ihr Interesse an diesem Webinar! Mit nur einem Klick auf den Button können Sie das Webinar kostenfrei aufrufen. Interessante Einblicke wünscht Ihnen Ihr ELEKTRONIK PRAXIS-Team.

Veranstalter des Webinars

ON Semiconductor

McDowell Road 5005 E
85008 Phoenix, AZ
USA

Datum:
12.03.2019 16:00