Schnellere, nichtinvasive Bildgebung im Sub-Mikrometerbereich

| Redakteur: Dr. Anna-Lena Gutberlet

Visualisierung von C4-Bumps, TSVs und Cu-Säulen-Mikrobumps in einem 2,5D-Package.
Visualisierung von C4-Bumps, TSVs und Cu-Säulen-Mikrobumps in einem 2,5D-Package. (Bild: Zeiss)

Die Zeiss Xradia Versa-Modelle der 600-Serie erweitern die Grenzen von CT-Lösungen im Mikro- und Nanometerbereich.

Durch die Kombination aus einer zweistufigen Vergrößerungsoptik und einer Strahlenquelle mit hohem Fluss können Bilder mit einer Auflösung im Sub-Mikrometerbreich schneller erzeugt werden. Die RaaD-Architektur (Resolution at a Distance) ermöglicht hochauflösende 3D-Bildgebung größerer, dichterer Objekte einschließlich intakter Komponenten und Geräte.

Zeiss Xradia Versa-Systeme der 600-Serie bieten eine echte räumliche Auflösung von 500 nm mit einer erreichbaren minimalen Voxelgröße von 40 nm.

Typische Aufgaben und Anwendungen im Bereich Elektronik und Halbleiterkomponenten sind die Durchführung von Struktur- und Schadensanalysen zur Prozessentwicklung, Ausbeuteverbesserung und Konstruktionsanalyse von modernen Halbleiter-Packages, einschließlich 2,5-/3D- und Fan-Out-Packages, die Analyse von Leiterplatten für Reverse Engineering und Hardware-Sicherheit, die Zerstörungsfreie Bildgebung über mehrere Längenskalierungen von Modul über Package bis zur Verbindung für die Charakterisierung von Schäden in Sub-Mikrometerauflösung sowie ein besseres Verständnis von Defektpositionen und -verteilungen durch Anzeige unbegrenzter virtueller Querschnitts- und Draufsichtbilder aus allen gewünschten Winkeln.

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