UltraCMOS Halbleiter Technologie

Rasanter Fortschritt in Prozess und Fertigungstechnik

Bereitgestellt von: Peregrine Semiconductor Corp

Rasanter Fortschritt in Prozess und Fertigungstechnik

Dieses Whitepaper bietet einen Überblick über die Entwicklung der UltraCMOS-Technologie von der Laborkuriosität bis zum Prozess der Wahl für HF-Frontenden (RFFE).

Seit mehr als 20 Jahren wird die Silizium-auf-Saphir-Technologie (SoS) — eine Weiterentwicklung des Silizium-auf-Isolator-Prozesses (SOI) — in der Halbleiterfertigung eingesetzt. In letzter Zeit fand SoS in Form der UltraCMOS-Technologie in Massenanwendungen ihren festen Platz und wurde so zur Technologie der Wahl in vielen anspruchsvollen HF-Anwendungen. In dieser Technologie werden in einem CMOS-Prozess auf einem hochohmigen Substrat hochleistungsfähige HF-Komponenten in hohen Stückzahlen produziert, die in puncto Kosten und Leistungsfähigkeit konkurrenzfähig sind.

Die Entwicklung von UltraCMOS ist allerdings nahezu eine Laborkuriosität: Denn um zum HF-Frontend-Prozess (RFFE) der Wahl zu avancieren, hat es zwei Jahrzehnte der Prozessentwicklung gedauert und einiger Durchbruchs- und Schlüsselinventionen bedurft.

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Publiziert: 01.01.14 | Peregrine Semiconductor Corp

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