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Präsentationen und Panels über eGaN-FETs und -ICs

| Redakteur: Gerd Kucera

EPC demonstriert auf den PCIM Europe digital days 2020 seine eGaN-FETs mit hoher Leistungsdichte und ePower-Leistungsstufen-ICs in Kundenanwendungen.

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PCIM Europe 2020: Am 7. und 8. Juli gibt es drei Präsentationen und zwei Podiumsdiskussionen über GaN-Technologie und-Anwendungen.
PCIM Europe 2020: Am 7. und 8. Juli gibt es drei Präsentationen und zwei Podiumsdiskussionen über GaN-Technologie und-Anwendungen.
(Bild: EPC)

Efficient Power Conversion (EPC) wird auf den PCIM Europe 2020 Digital Days seine neuesten Leistungsstufen-ICs der Serie ePower vorstellen und demonstrieren, wie die überlegene Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie die Stromversorgung für Rechner, Kommunikation, Robotik und das Transportwesen verändert.

Das EPC-Team beteiligt sich an den kommenden PCIM Europe digital days 2020 am 7. und 8. Juli mit drei technischen Präsentationen und zwei Podiumsdiskussionen über Galliumnitrid-/GaN-Technologie und-Anwendungen. Zusätzlich zeigt EPC in der virtuellen Ausstellung die neuesten eGaN-FETs und ICs in Endprodukten von Kunden.

In dieser virtuellen Ausstellung stehen EPC-Experten zur Verfügung, um eGaN-Bausteine in verschiedenen Anwendungen zu besprechen, darunter: 48-V-DC/DC-Wandler für Computer- und Automotive-Anwendungen; gepulste Hochleistungs-Nanosekunden-Lasertreiber für Lidar-Entwicklungen, die in autonomen Fahrzeugen zum Einsatz kommen, sowie für präzise Motorantriebe für Robotik und Drohnen.

Übersicht der technischen Präsentationen und Panels über eGaN-FETs und -ICs mit Experten von EPC:

  • Vortrag (Si- und GaN-Integration) Low-Voltage-BLDC-Motortreiber-Wechselrichter mit einer monolithischen GaN-ePower-Leistungsstufe. Vortragende: Dr. Michael de Rooij, Brandon Perez, Yuanzhe Zhang, Henry Qiu
  • Termin: Mittwoch, 8. Juli, 11:05 Uhr MESZ.
  • Poster-/Dialogsessions (PP140). GaN-FET-basierter DC/DC-Abwärtswandler mit geringer Bauhöhe. Sprecher: Jianjing Wang, Yuanzhe Zhang, Michael de Rooij
  • Termine: täglich, 7. Und 8. Juli.
  • Poster-/Dialogsessions (PP144): 300 W (48 V – 12 V) digital geregelter 1/16-Brick-DC/DC-Wandler mit GaN-FETs. Sprecher: Yuanzhe Zhang, Michael de Rooij
  • Termine: täglich, 7. Und 8. Juli.
  • Podiumsdiskussion: Leistungselektronik auf GaN-Basis (Vergangenheit, Gegenwart und Zukunft). Sprecher: Alex Lidow. Termin: 7. Juli um 12:00 Uhr MESZ
  • Podiumsdiskussion: GaN-Bauelemente – der Game-Changer. Sprecher: Alex Lidow, Termin: 8. Juli um 12:45 Uhr MESZ.

Zuverlässigkeitsbericht zur eGaN-Technologie

Dr. Alex Lidow, CEO und EPC-Mitgründer sagt zum neuen Bericht: „Seit über zehn Jahren werden eGaN-Bausteine in Serie gefertigt und haben bei Labortests und Kundenanwendungen in großen Stückzahlen eine sehr hohe Zuverlässigkeit bewiesen. Die Veröffentlichung unseres elften Zuverlässigkeitsberichts stellt das gesammelte Knowhow von Millionen von Bauelementen über einen Zeitraum von zehn Jahren und fünf Technologiegenerationen dar. Diese Zuverlässigkeitstests wurden durchgeführt, um das Verhalten von GaN-Bauelementen unter verschiedenen Belastungsarten besser zu verstehen.“

Die Ergebnisse der Zuverlässigkeitsstudien von EPC zeigten laut Lidow, dass GaN eine äußerst robuste Technologie ist, die sich rasant weiter verbessert. Dementsprechend ist EPC bestrebt, seine GaN-Bauelemente strengen Zuverlässigkeitsstandards zu unterwerfen und die Ergebnisse mit den Anbietern von Leistungswandlern zu teilen.

Nach eigenen Angaben ist die kalifornische EPC (in El Segundo nahe Los Angeles) führend bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Mode. Als erster Hersteller haben Gründer Alex Lidow und sein Entwickler-Team neuartige Galliumnitrid-Silizium-FETS (eGaN) als Power-MOSFET-Ersatz für Anwendungen wie DC/DC-Wandler, drahtlose Leitungsübertragung und Leistungswechselrichter auf dem Markt etabliert.

Nach eigenen Angaben ist die kalifornische EPC (in El Segundo nahe Los Angeles) führend bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Mode. Als erster Hersteller haben Gründer Alex Lidow und sein Entwickler-Team neuartige Galliumnitrid-Silizium-FETS (eGaN) als Power-MOSFET-Ersatz für Anwendungen wie DC/DC-Wandler, drahtlose Leitungsübertragung und Leistungswechselrichter auf dem Markt etabliert.

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