Stromversorgung mit SiC-MOSFETs

PFC-Schaltung für 3-Phasen-400-V-AC-Eingang

Toshiba Electronics_Whitepaper Cover

Dieses Whitepaper beschreibt das 3-Phasen-400-VAC-Referenzdesign mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC). Es erklärt, wie die eingesetzte SiC-MOSFET-Technologie die Anforderungen für das Laden von Elektrofahrzeugen erfüllt.

Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge (EV) müssen innerhalb kürzester Zeit entwickelt werden und oft gibt es dafür nur begrenzte technische Ressourcen. Ein neues Whitepaper von Toshiba beschreibt das 3-Phasen-400-VAC-Referenzdesign mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

Darin wird erläutert, wie die eingesetzte SiC-MOSFET-Technologie es ermöglicht, die neuesten Anforderungen an das Laden von Elektrofahrzeugen zu erfüllen, und zwar im Hinblick auf höhere Leistungsdichten und höhere Umwandlungswirkungsgrade. Die Verwendung des Referenzdesigns ermöglicht ein beschleunigtes Entwicklungstempo – von der Konzeptphase über erste Prototypen bis hin zur endgültigen Implementierung.

Dieses englischsprachige Whitepaper behandelt folgende Punkte:

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC) Schaltung, die einen Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung von bis zu 97 % erreicht
  • Der Wechsel von einem IGBT zu einem SiC-MOSFET reduziert Energieverluste und erzielt einen höheren Wirkungsgrad
  • Merkmale von SiC-Leistungsbauelementen verstehen, um ihre hervorragenden Eigenschaften voll auszunutzen

Anbieter des Whitepapers

Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
Deutschland

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