Suchen

Optimierte 80-V-N-Kanal-MOSFETs für Stromversorgungen

Redakteur: Gerd Kucera

Basierend auf dem U-MOSX-H-Prozess sollen die neuen Leistungshalbleiter von Toshiba den Wirkungsgrad von Stromversorgungen deutlich verbessern.

Firmen zum Thema

Die schrittweise Auslieferung der neuen Bausteine beginnt ab sofort.
Die schrittweise Auslieferung der neuen Bausteine beginnt ab sofort.
(Bild: Toshiba)

Bei Systemen der Stromversorgung ist jedes Prozent Wirkungsgradgewinn von großem Interesse. Nicht nur hinsichtlich der Energiekosten, sondern auch bezüglich der Verlustwärmereduktion. Weniger Wärme im Schaltschrank bedeutet auch mehr Systemzuverlässigkeit und längere Lebensdauer. An dieser Stelle will Toshiba Electronics Europe die Entwickler mit zwei neue 80-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs auf Basis des neuesten U-MOSX-H-Prozess unterstützen. Beide Bausteine eignen sich laut Toshiba für die unterschiedlichsten Stromversorgungsanwendungen, bei denen ein verlustarmer Betrieb wichtig ist. Das ist beispielsweise die hocheffiziente AC/DC- und DC/DC-Wandlung in Rechenzentren und Basisstationen sowie für eine Vielzahl von Antriebssteuerungen.

Die neuen Leistungshalbleiter mit den Typenbezeichnungen TPH2R408QM und TPN19008QM sind 80-V-U-MOSX-H-Bausteine, die im Vergleich zu entsprechenden 80-V-Leistungs-MOSFETs auf Basis früherer Prozesse wie U-MOSVIII-H einen um 40% geringeren Durchlasswiderstand RDS(on) haben. Folglich bietet der TPN19008QM einen RDS(on)-Wert von 19 mΩ (maximal) und der TPH2R408QM einen Wert von nur 2,43 mΩ, konstatiert Toshiba.

Durch einen optimierten Aufbau konnte das Produkt aus RDS(on) und Gate-Ladung um bis zu 15% und das Produkt aus RDS(on) und Ausgangsladung um 31% verbessert werden. Zusammen mit dem reduzierten RDS(on) weisen die neuen Leistungs-MOSFETs laut Toshiba-Angaben die branchenweit niedrigste Verlustleistung auf.

Beide Bausteine werden in SMD-Gehäusen ausgeliefert und sind für eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 80 V ausgelegt. Die maximale Kanaltemperatur (Tch) ist mit 175 °C angegeben. Der TPN19008QM ist für einen Drain-Strom (ID) von 34 A ausgelegt und befindet sich in einem TSON-Advance-Gehäuse mit den Maßen 3,3 mm x 3,3 mm, während der TPH2R408QM für einen ID von 120 A spezifiziert ist und ein SOP-Advance-Gehäuse mit 5 mm x 6 mm besitzt.

Artikelfiles und Artikellinks

(ID:46490872)