Leistungs-MOSFET

On-Widerstand von 18 mΩ bei 4,5 V bis 65 mΩ bei 1,8 V

30.11.2009 | Redakteur: Kristin Rinortner

Vishay hat mit SiA433EDJ einen 20-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET im 2 mm x 2 mm großen, thermisch optimierten PowerPAK-SC-70-Gehäuse auf den Markt gebracht, der auf der TrenchFET-Gen-III-p-Kanal-Technologie

Vishay hat mit SiA433EDJ einen 20-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET im 2 mm x 2 mm großen, thermisch optimierten PowerPAK-SC-70-Gehäuse auf den Markt gebracht, der auf der TrenchFET-Gen-III-p-Kanal-Technologie basiert. Der Baustein bietet einen On-Widerstand von 18/26/65 mΩ bei einer Gate-Spannung von 4,5; 2,5; 1,8 V. Der 20-V-MOSFET ist für Gate-Source-Spannungen bis 12 V, der On-Widerstand auch für eine Gate-Source-Spannung von 1,8 V spezifiziert. Der MOSFET enthält eine Zenerdiode zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bis 1800 V. Er ist halogenfrei nach IEC 61249-2-21, erfüllt die Anforderungen der RoHS Directive 2002/95/EC und wird 100%-ig Rg-getestet.

Anwendungsgebiete finden sich als Last-, Batterie- oder Ladegerätschalter in mobilen Geräten wie Handys, Smart Phones, PDAs und MP3-Playern. Muster sind ab sofort verfügbar. Produktionsstückzahlen sind ab Q1/2010 lieferbar.

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