Power-MOSFET

Niedrigster RDSon und überlegener FOM-Wert

14.08.2009 | Redakteur: Andreas Mühlbauer

Vishay hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET-Leistungs-MOSFETs um einen neuen 12-V-N-Kanal-Typ erweitert, der bei einer Sperrspannung von 12 V den niedrigsten On-Widerstand und das

Vishay hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET-Leistungs-MOSFETs um einen neuen 12-V-N-Kanal-Typ erweitert, der bei einer Sperrspannung von 12 V den niedrigsten On-Widerstand und das kleinste Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung bietet. Dieser neue 12-V-Leistungs-MOSFET mit der Bezeichnung SiR494DP hat einen maximalen On-Widerstand von 1,2 mΩ bei 10 V Gate-Spannung bzw. 1,7 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung. Das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung, eine wichtige Kennzahl (Figure of Merit; FOM) von MOSFETs in DC/DC-Wandler-Anwendungen, beträgt 85 nC bei 4,5V. Im Vergleich zu den nächstbesten Wettbewerbsprodukten, die für niedrige Durchlass- und Schaltverluste optimiert sind, bedeuten diese Werte laut Vishay eine Verbesserung beim On-Widerstand um 40% bei 10 Vgs bzw. 35% bei 4,5 Vgs, und beim FOM-Wert eine Verbesserung um 29%. Der niedrigere On-Widerstand und die geringere Gate-Ladung führen zu niedrigeren Durchlass- und Schaltverlusten. SiR494DP ist vorgesehen für den Einsatz als Low-Side-MOSFET in Synchron-Abwärtsreglern mit niedrigen Eingangsspannungen (5 V bis 3,3 V), in Oring-Lastschalter-Anwendungen mit niedrigen Ausgangsspannungen (5 bzw. 3,3 V und darunter) sowie in Systemen unterschiedlichster Art, die eine POL-(Point-of-Load)-Spannungsumsetzung einer Eingangsspannungen von 5 oder 3,3 V erfordern. In allen diesen Anwendungen führen die geringen Durchlass- und Schaltverluste zu einer effizienteren Nutzung der Energie.

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