600-V-Fast-Body-Diode-MOSFET Niedriger RDS(on)*Qg-Wert (FOM)

Redakteur: Gerd Kucera

Firmen zum Thema

(Bild: Vishay)

Ein weiteres Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay. Der n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF von Vishay Siliconix bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich. Unter allen vergleichbaren Produkten auf dem Markt bietet dieser MOSFET nach Angaben des Herstellers das kleinste Produkt aus Gate-Ladung mal On-Widerstand, die wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit) von 600-V-MOSFETs für Spannungswandler-Anwendungen. Der MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 0,061 Ω bei 10 V Gate-Spannung und eine Gate-Ladung von 50 nC. Die FOM-Spezifikation von 3,1 Ω*nC ist damit laut Vishay um 30% kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Für das ZVS in z.B. LLC-Resonanzwandler haben die MOSFETs der Serie SiHH070N60EF kleine Ausgangskapazitäten von 90 pF bzw. 560 pF.

(ID:47182787)