Leistungs-MOSFET Neue 600-V-Typen mit 0,190 Ω On-Widerstand

Redakteur: Gerd Kucera

Vishay präsentiert vier neue 600-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F-, TO-247- und TO-263-Gehäuse. Es sind die ersten Typen in Super-Junction-FET-Technologie, die es in diesen Gehäusebauformen

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Vishay präsentiert vier neue 600-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F-, TO-247- und TO-263-Gehäuse. Es sind die ersten Typen in Super-Junction-FET-Technologie, die es in diesen Gehäusebauformen gibt. Die Bausteine SiHP22N60S (TO-220), SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK), SiHG22N60S (TO-247) und SiHB22N60S (TO-263) sind für 600 V Sperrspannung ausgelegt und haben bei 10 V Gate-Spannung einen On-Widerstand von höchstens 0,19 Ω. Dieser niedrige RDS(on) führt zu geringeren Durchlassverlusten und zu Energieeinsparungen bei Leistungsfaktorkorrektur- und Pulsbreitenmodulations-Anwendungen (PFC und PWM) in LCD-TVs, PCs, Servern, Schaltstromversorgungen, Telekom-Systemen u.a.m. Eine weitere Besonderheit ist die geringe Gate-Ladung von 98 nC. Das Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand, ein wichtiges Leistungsmerkmal (FOM, Figure of Merit) von MOSFETs, die für Spannungswandleranwendungen vorgesehen sind, beträgt 18,62 ΩnC. Alle Bauteile sind zu 100% Avalanche-getestet und haben hohe Grenzwerte für die Avalanche-Energie bei Mehrfachimpulsen (EAR). Die Spitzenstrombelastbarkeit beträgt 65 A (Puls) bzw. 22 A (kontinuierlich). Für alle vier Typen ist die effektive Ausgangskapazität spezifiziert.

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