Netzteile: Neue „Source Down“-Chip-Gehäuse verbessern Wärmeableitung

| Redakteur: Kristin Rinortner

Source-Down-Chipgehäuse: MOSFETs in verbesserten Kunststoffgehäusen sollen eine bessere Wärmeableitung bei Netzteilapplikationen bieten.
Source-Down-Chipgehäuse: MOSFETs in verbesserten Kunststoffgehäusen sollen eine bessere Wärmeableitung bei Netzteilapplikationen bieten. (Bild: AOS)

Alpha and Omega Semiconductor hat MOSFETs in einem neuen Chip-Gehäuse auf Basis des QFN-Gehäuses entwickelt, mit denen die Verlustwärme beispielsweise bei Applikationen in Netzteilen besser abgeleitet werden soll.

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) hat mit dem AOE66410 einen 40-V-MOSFET mit Shield-Gate-Technik (AlphaSGT) auf den Markt gebracht. Das Besondere am Baustein ist, dass der Chip in einer verbesserten Variante eines QFN-Gehäuses angeboten wird. Das von AOS als „Source Down“-Gehäuse bezeichnete Kunststoffgehäuse bietet wie das QFN-Gehäuse einen geringen Wärmewiderstand und eine sehr geringe Induktivität.

Der Chip eignet sich laut Hersteller für Industrieanwendungen, zur Sekundärgleichrichtung (SR), in BLDC-Motoranwendungen zur Halbbrückenkonfiguration sowie für das Batteriemanagement.

Der AOE66410 kommt im gleichen Formfaktor wie ein Standard QFN-5x6-Gehäuse, allerdings hat das Source Pad einen größeren Kontakt zur Leiterplatte. Entwickler von Netzteilen sollen so die Bauteile einfacher parallel schalten können. Zudem steht eine größere Fläche zur Ableitung anfallender Verlustwärme zur Verfügung. Der Chip hat einen Einschaltwiderstand von 1 mOhm bei 10 VG-S und einem Drainstrom von 100 A bei einer Gehäusetemperatur von 25°C.

„Source Down kann eine deutliche Verbesserung des Leiterplatten-Layouts bieten und die Entwicklung paralleler Schaltungen vereinfachen, die für Hochleistungs-Industrienetzteile geeignet sind“, erklärt Peter H. Wilson, Marketing Director der MOSFET-Produktlinie bei AOS.

QFN-Gehäuse (Quad Flat No Leads Package) bieten gute thermische und elektrische Parameter für eine Chip-Einhausung. Die Kontakte (nicht verzinnte Kupferanschlüsse) sind plan in die Unterseite des rechteckigen Kunststoffgehäuses integriert. Dadurch kann der benötigte Platz auf der Leiterplatte reduziert und eine höhere Packungsdichte erreicht werden. Durch die kleine Bauform werden zudem parasitäre Induktivitäten an den Anschlüssen verringert.

Da QFN-Gehäuse von Amkor Technology entwickelt wurden, die sie als MLF (Micro Lead Frame) und MLP (Micro Lead Package) vertreibt, lautet die herstellerspezifische Bezeichnung der QFN-Chipgehäuse bei AOS DFN (Dual Flat No-lead Package).

Der AOE66410 ist in Produktionsmengen mit einer Lieferzeit von 12 bis 14 Wochen erhältlich. Der Stückpreis bei Abnahme von 1000 Stück beträgt 1,75 €.

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