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MOSFET-Relais: Minimierter Leckstrom für hohe Testgenauigkeit

| Redakteur: Kristin Rinortner

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(Bild: Omron)

Für Halbleitertestgeräte und andere Prüfmittel hat Omron Electronic ein MOSFET-Relaismodul mit minimiertem Leckstrom entwickelt. Das Relais G3VM-21MT bietet einen max. Ableitstrom von 1 pA. Mit einer ‘T-Type‘-Schaltungsstruktur, durch die ein Großteil des Leckstroms gegen Masse abfließt, verbindet das Relais effektiv die Vorteile mechanischer und MOSFET-Relais zu einer genauen, kompakten Schaltlösung ohne mechanische Kontakte. Durch den Einbau des T-Schaltkreises in das Modul wird eine Baugröße von 5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm erreicht. Das SMD-Bauelement wird als einpoliger Einschalter (SPST) angeboten, eine Konfiguration ist nicht erforderlich. Weitere Merkmale sind eine maximale Lastspannung von 20 V und eine Isolation unter –30 dB bei 1 GHz.

Weitere T-Circuit MOSFET-Relaismodule sind beim Hersteller in Planung, darunter Hochstrom- und Hochspannungsmodelle.

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