MOSFET

Mit RDSon von 1,4 mOhm

| Redakteur: Kristin Rinortner

NXP präsentiert mit dem Baustein PSMN1R0-30YLC den ersten MOSFET seiner NextPower-Reihe. Es handelt sich dabei um einen 30-V-MOSFET im Power-SO8-Gehäuse mit dem eigenen Angaben zufolge industrieweit niedrigsten RDSon-Wert von 1,4 mOhm bei 4,5 V. Der MOSFET des ist für Schaltanwendungen mit Spannungen von 4,5 V optimiert und wird im LFPAK-Gehäuse angeboten. Die Technologie wurde für DC-DC-Wandler-Applikationen hoher Leistung wie z.B. synchrone Abwärtswandler, Synchrongleichrichter in isolierten Netzteilen sowie Power-ORing-Anwendungen entwickelt.

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