Power-over-Ethernet: MOSFETs statt Dioden

Mit MOSFETs zum energieeffizienten PoE-gespeisten IoT-Gerät

Bereitgestellt von: ON Semiconductor

Mit MOSFETs zum energieeffizienten PoE-gespeisten IoT-Gerät

Bei Power-over-Ethernet-gespeisten Geräten sollten die zur Polaritätskorrektur eingesetzten Brückengleichrichter selbst nur wenig Leistung aufnehmen. Erfahren Sie im Whitepaper, wie Sie durch die Verwendung von MOSFETs die Effizienz verbessern.

Power-over-Ethernet (PoE) ermöglicht einen kostengünstigen Aufbau von Netzwerken. Mit zunehmender Funktionalität von PoE-PDs (PoE-Powered-Devices), wie IoT-Geräten, steigt jedoch deren Leistungsaufnahme an. Dennoch müssen sie innerhalb des vom PoE-Power-Source-Equipment (PSE) zur Verfügung gestellten Leistungsbudgets bleiben. Damit rückt bei neuen Entwicklungen die Energieeffizienz der Brückengleichrichter der PoE-PDs zur Polaritätskorrektur in den Fokus. Die dafür bisher eingesetzten Dioden-basierten Brückengleichrichter besitzen aufgrund ihrer Flussspannung eine relativ hohe Verlustleistung. Abhilfe schaffen hier MOSFET-basierte Brücken.

Erfahren Sie im Whitepaper,

  • wie Brückengleichrichter mit integrierten MOSFETs in PoE-PDs funktionieren,
  • warum MOSFET-Brücken gegenüber konventionellen Schottky-Brücken eine bis zu 10-fach geringere Verlustleistung aufweisen, und
  • welche anderen Vorteile, neben einer höheren Effizienz, kleineren Abmessungen und einer besseren thermischen Stabilität, MOSFET-Brückengleichrichter bieten.

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Publiziert: 09.09.19 | ON Semiconductor

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