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1200-V-SiC-MOSFET Mehr Wirkungsgrad und Leistung für Industrieanwendungen

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Toshiba)

Toshiba Electronics Europe GmbH (Toshiba) stellt einen 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET für industrielle Hochleistungsanwendungen vor, u.a. für AC/DC-Stromversorgungen mit 400-VAC-Eingang, Photovoltaik-Wechselrichter und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Dieser Leistungs-MOSFET mit der Bezeichnung TW070J120B basiert auf Siliziumkarbid, wird in Toshibas Halbleiterfertigungsprozess der zweiten Generation hergestellt und bietet nach Toshiba-Angaben eine höhere Zuverlässigkeit. Zudem bietet der TW070J120B eine niedrige Eingangskapazität von 1680 pF (typ.), eine niedrige Gate-Eingangsladung von 67 nC (typ.) und einen Drain-Source-Durchlasswiderstand von 70mΩ (typ.). Im Vergleich zu einem 1200-V-Silizium-IGBT wie dem GT40QR21 von Toshiba reduziert der neue Baustein die Ausschaltverluste um etwa 80% und die Schaltzeit (Abfallzeit) um etwa 70%, während er bei einem Drain-Strom bis 20 A eine niedrige Durchlass-Spannungscharakteristik bietet. Die Gate-Schwellenspannung ist hoch eingestellt (im Bereich von 4,2 bis 5,8 V), was unbeabsichtigtes oder unerwünschtes Ein-/Ausschalten vermeiden kann, so Toshiba. Darüber hinaus trägt die integrierte SiC-Schottky-Barrierediode (SBD) mit einer niedrigen Durchlassspannung (UDSF) von -1,35 V (typ.) dazu bei, Verluste zu verringern. Der neue MOSFET TW070J120B ist ab sofort im TO-3P(N)-Gehäuse erhältlich und ermöglicht Stromversorgungen mit höherem Wirkungsgrad, insbesondere in industriellen Anwendungen.

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