SiC Power Devices Mehr Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter

Redakteur: Gerd Kucera

Zur Erweiterung der Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter werden am Standort Chikugo jetzt die ersten Produktionsanlagen im neuen Gebäude installiert.

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Die Installation der SiC-Produktionsanlagen hat begonnen. Der Betriebsstart ist für 2022 geplant.
Die Installation der SiC-Produktionsanlagen hat begonnen. Der Betriebsstart ist für 2022 geplant.
(Bild: ROHM)

Branchenexperten gehen davon aus, dass der globale SiC-Markt bis 2021 die Marke von 1 Milliarde Dollar überschreiten wird. Der größte Anteil entfalle auf Stromversorgungslösungen wie Stromrichter, Batterieladegeräte für Elektrofahrzeuge und das Stromnetz selbst (Power Grid). Einen erheblichen Teil am Marktpotenzial für SiC-Komponenten habe beispielsweise der EV-Inverter.

ROHM strebt einen Spitzenmarktanteil für SiC-Wafer und -Komponenten an. Um dieses Ziel zu erreichen, ist die Produktionskapazität weiter zu erhöhen und die Produktionseffizienz stetig zu verbessern. Der Bau der neuen Fabrik ist dazu eine weitere konsequente Maßnahme. Fünf Geschoßwerke sind es geworden, die am japanischen Standtort Chikugo (südlich von Fukuoka) zum Jahresbeginn 2022 in Betrieb gehen sollen.

Nun begonnen haben die Installationsarbeiten der Produktionsanlagen, die mittel- bis langfristigen der Nachfrage nach SiC-Leistunghalbleitern gerecht werden soll. 100% des benötigten Stroms sollen aus erneuerbaren Energiequellen stammen. Zusätzlich zu diesem neuen Gebäude wird laut ROHM auch die SiCrystal GmbH, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, das SiC-Wafer herstellt, ab dem nächsten Geschäftsjahr mit 100% erneuerbarer Energie produzieren und den CO2-Ausstoß aus dem Kaufstrom in der Anlage auf Null senken. Infolgedessen werden für alle wichtigen Produktionsprozesse zur SiC-Wafer-Herstellung erneuerbare Energien verwenden, heißt es.

SiC-Halbleiter für schnelles Laden

Nach einhelliger Meinung von Experten ist die SiC-Halbleitertechnologie auch unverzichtbar für superschnelle Ladeverfahren mit 800 V. Deshalb arbeiten seit vergangenen Sommer ROHM und Vitesco im Rahmen einer Kooperation daran, die beste Kombination von SiC-Technologie für die Großserienfertigung und die optimale Anpassung des Inverter-Designs für verbesserte Effizienz zu schaffen. Gemeinsames Ziel mit Vitesco Technologies ist die Erhöhung der Energieeffizienz elektronischer Komponenten für die Elektromobilität. Diese Partnerschaft wird auch von kurzen Wegen profitieren: Vitesco Technologies und ROHM haben jeweils Werke in Nürnberg (ROHM Semiconductor Group: SiCrystal), was wiederum nicht weit von dem Vitesco Technologies Hauptsitz in Regensburg entfernt liegt. Vitesco entwickelt und testet die SiC-Technologie bereits in einem 800-V-Inverter-Konzept, um das Effizienzpotenzial dieser Technologie zu bestätigen.

Seit 2010 produziert ROHM (etwa 22.000 Mitarbeiter) SiC-Leistungshalbleiter einschließlich SiC-SBDs und SiC-MOSFETs in Serie. Per 31.3.2020 wurde ein Umsatz von 3,326 Mrd. US-$ erzielt. Gefertigt wird in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, auf den Philippinen und in China.

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