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Leistungshalbleiter: Mitsubishi erwirbt Sharp-Fukuyama-Standorte

Redakteur: Gerd Kucera

Der steigenden Nachfrage nach Leistungshalbleitern begegnet Mitsubishi Electric mit dem Erwerb der Liegenschaften von Sharp Fukuyama Semiconductor.

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Leistungshalbleiter sind die Schlüsselbausteine bei der Energiewandlung und Energieverteilung quer durch alle Branchen.
Leistungshalbleiter sind die Schlüsselbausteine bei der Energiewandlung und Energieverteilung quer durch alle Branchen.
(Bild: Mitsubishi Electric)

Die Gebäude und Grundstücke von Sharp Fukuyama Semiconductor, einer hundertprozentigen Tochtergesellschaft der Sharp Corporation in Fukuyama (Präfektur Hiroshima/Japan) wird die Mitsubishi Electric erwerben, um der steigenden Nachfrage nach geeigneten Leistungshalbleitern zur Energieeinsparung und Reduzierung der CO2-Emissionen zu begegnen.

Diese Liegenschaften werden der Power Device Works von Mitsubishi Electric als neuer Standort für die Prozessierung von Wafern für Leistungshalbleiter dienen. Mit neuen Produktionsanlagen, die im November 2021 in Betrieb gehen sollen, kann Mitsubishi Electric das Geschäft mit Leistungshalbleitern ausbauen.

Laut Mitsubishi Electric steige die Nachfrage nach Leistungshalbleitern zur effizienten Steuerung elektrischer Leistung in dem gleichen Maße an, wie die Bemühungen um Energieeinsparung und Schutz der Umwelt durch Maßnahmen zur Reduzierung des CO2-Ausstoßes, einschließlich der laufenden Elektrifizierung von Automobilen.

Um dieser weltweit wachsenden Nachfrage gerecht zu werden, führte Mitsubishi Electric eine Suche nach potenziellen neuen Produktionsstandorten durch. Infolgedessen hat das Unternehmen mit der Sharp Corporation eine Vereinbarung zum Erwerb von Gebäuden und Grundstücken von Sharp Fukuyama Semiconductor getroffen. Die Investition wird mit rd. 20 Mrd. Yen (etwa 166 Mio. €) beziffert und umfasst ein dreistöckiges Gebäude mit 46.500 m2 Gesamtfläche.

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