Breitband-Transistor

100-W-Version in GaN auf Si

| Redakteur: Gerd Kucera

Die Bemusterung des neuen Breitband-Transistors MAGX-100027-100C0P, der für den Betrieb von DC bis 2,7 GHz optimiert ist und mit einem proprietären GaN-auf-Silizium-Prozess der 4. Generation hergestellt wird, hat MACOM begonnen. MAGX-100027-100C0P unterstützt den Dauerstrichbetrieb ebenso wie den gepulsten und den linearen Betrieb mit Ausgangsleistungen bis zu 100 W (50 dBm). Bei einer Betriebsspannung von 50 V ermöglicht der IC den Dauerstrichbetrieb mit einer Verstärkung von 18,3 dB bei 2,45 GHz und einer Drain-Effizienz von 70%. Im gepulsten Betrieb kommt der MAGX-100027-100C0P auf eine Verstärkung von 18,4 dB bei 2,7 GHz und 71% Drain-Effizienz. Der zu 100% HF-getestete Transistor wird in einem Industriestandard-Kunststoffgehäuse mit Schraubflansch angeboten. Die 4. Generation der GaN-Technik bietet ein Performance-Niveau, das mit dem von GaN-auf-SiC (GaN auf Siliziumkarbid) konkurrieren kann, so MACOM, während die prognostizierte Kostenstruktur für die Massenproduktion unter jener der vorherrschenden LDMOS-Technologie liegt. Sie bringe damit die nötigen Voraussetzungen mit, um die letzten Hindernisse auf dem Weg zur Serienherstellung der GaN-Technik zu beseitigen.

Kommentar zu diesem Artikel abgeben

Schreiben Sie uns hier Ihre Meinung ...
(nicht registrierter User)

Zur Wahrung unserer Interessen speichern wir zusätzlich zu den o.g. Informationen die IP-Adresse. Dies dient ausschließlich dem Zweck, dass Sie als Urheber des Kommentars identifiziert werden können. Rechtliche Grundlage ist die Wahrung berechtigter Interessen gem. Art 6 Abs 1 lit. f) DSGVO.
Kommentar abschicken
copyright

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Infos finden Sie unter www.mycontentfactory.de (ID: 43653314 / Leistungselektronik)