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Fachartikel

Umfassendes Expertenwissen für ein langes Schaltungsleben

Umfassendes Expertenwissen für ein langes Schaltungsleben

In Fragen der Lebensdaueranalyse löst das ZFW in Stuttgart seit 15 Jahren erfolgreich sensible Aufgaben aus Industrie und Forschung. Die enge Kooperation mit der DHBW macht das möglich. lesen

Ein neuer Technologie-Ansatz für den einfachen SJ-MOSFET

Ein neuer Technologie-Ansatz für den einfachen SJ-MOSFET

D3 Semi hat ihren Hochvolt-Superjunction-MOSFET weiterentwickelt und bietet u.a. die Konfigurierbarkeit auf Wafer-Ebene für schnelles Prototyping und/oder Behebung von Schaltungsproblemen. lesen

Gezielte Alterungssimulation von Hochvolt-Transistoren

Gezielte Alterungssimulation von Hochvolt-Transistoren

Um ein Schaltungsverhalten auf Jahre genau zu prognostizieren, haben Wissenschaftler des Fraunhofer IIS/EAS mathematische Alterungsmodelle für EDA-Umgebungen entwickelt. lesen

IGBTs in elektrischen Antrieben mit Kabellast richtig schalten

IGBTs in elektrischen Antrieben mit Kabellast richtig schalten

In Antrieben kleiner und mittlerer Leistung haben Kabelkapazitäten unerwünschten Einfluss auf Schaltverluste sowie Verriegelungs- und Schaltzeiten. Der Autor erklärt Zusammenhänge und Konsequenzen. lesen

Metallische Trägermaterialien für Hochleistungs-Halbleiter

Metallische Trägermaterialien für Hochleistungs-Halbleiter

Einem internationalen Forscher-Team unter der Leitung der Jülicher Chemikerin Dr. Hilde Hardtdegen gelang es erstmals, auf einem metallischem Träger Hochleistungs-Transistoren zu entwickeln. lesen

Wie sich die elektrische Energieeffizienz eines Rollators steigern lässt

Wie sich die elektrische Energieeffizienz eines Rollators steigern lässt

In unserem Beitrag stellen wir eine Entwicklung zur Steigerung der elektrischen Energieeffizienz eines Rollators vor. Dieser passt sich sowohl der physischen Verfassung des Nutzers als auch den Umgebungsbedingungen an. Ein Stück Lebensqualität wird wiedergewonnen. lesen

Wie die Streuinduktivität Leistungshalbleiter behindert

Wie die Streuinduktivität Leistungshalbleiter behindert

Streuinduktivität erzeugt Überspannungen beim Abschalten und begrenzt die Schaltgeschwindigkeit. Es ist eine maximale Stromsteilheit einzuhalten, um Sperrspannungsgrenzen nicht zu überschreiten. lesen

Vorsicht, leckt: Aluminium-Elektrolytkondensatoren und ihr Leckstrom

Vorsicht, leckt: Aluminium-Elektrolytkondensatoren und ihr Leckstrom

Auch wenn sie recht einfach aufgebaut sind, so haben Aluminium-Elektrolytkondensatoren doch ihre Tücken. Ihr Leckstrom zum Beispiel ist ein Thema, mit dem sich Entwickler unbedingt befassen sollten. lesen

Von Glauben zu präzisem Wissen: Power Devices richtig beurteilen

Von Glauben zu präzisem Wissen: Power Devices richtig beurteilen

Zur Auslegung leistungselektronischer Geräte ist die genaue Kenntnis der thermischen Situation der Leistungshalbleiter unumgänglich. Doch die Bestimmung ist häufig mit mehr Tücken behaftet als erwartet. lesen

Entwicklung eines Power-Moduls für Automobil- und CAV-Antriebe

Elektromobilität

Entwicklung eines Power-Moduls für Automobil- und CAV-Antriebe

Dieser Beitrag beschreibt die Neuentwicklung eines Leistungsmoduls auf IGBT-Basis bei Infineon für Automobil-Antriebe. Im Fokus standen drei technische Anforderungen: Reduzierung der Leistungsverluste, Modulkonfektionierung und höherer Blockierstrom. lesen

Auswahl des optimalen MOSFETs für Offline-Schaltnetzteile

POWER-MOSFETs

Auswahl des optimalen MOSFETs für Offline-Schaltnetzteile

In einem typischen Schaltnetzteil ist der MOSFET für den größten prozentualen Anteil der Verluste verantwortlich. Deshalb ist die bestmögliche Auswahl des Power-MOSFET so wichtig. lesen

Worauf es beim Test von IGBT-Modulen ankommt

Worauf es beim Test von IGBT-Modulen ankommt

Ströme von einigen Kiloampere und etliche Kilovolt Spannung: Der Test von IGBT-Modulen erfordert einiges an Wissen. Der Spezialist Fixtest berichtet über seine Erfahrungen und worauf es ankommt. lesen

Call for Paper Elektrische Antriebstechnik 2018

WEITERBILDUNG

Call for Paper Elektrische Antriebstechnik 2018

Wer seine elektrische Antriebslösung bestmöglich auslegen will, nutzt und den fachlichen Austausch mit Sachkennern auf dem Praxisforum Elektrische Antriebstechnik vom 20. bis 22.3.2018 in Würzburg. lesen

Galvanisch getrennter Gate-Treiber-IC mit FluxLink

IGBT- und MOSFET-Treiber

Galvanisch getrennter Gate-Treiber-IC mit FluxLink

Neben Motor Control und Stromversorgungen gibt es eine Vielzahl von Anwendungen, für die sich die Gate-Treiber-IC SCALE-iDriver eignen. Es gibt sie nun auch für IGBTs mit Sperrpannungen von 1700 V. lesen

650-V-Superjunction-MOSFETs mit Mixed-Signal-Technologie

Power-MOSFET

650-V-Superjunction-MOSFETs mit Mixed-Signal-Technologie

MOSFETs, Gate-Treiber sowie Referenz-Designs für Motor Control und Stromversorgungen bilden die Technologie-Roadmap von D3 Semi. In +FET ist der MOSFET mit Mixed-Signal-Technologie kombiniert. lesen

Messerückblick PCIM Europe 2017

Neuvorstellungen

Messerückblick PCIM Europe 2017

Einmal mehr war die Konferenzmesse PCIM Europe das Eldorado der Leistungselektroniker. Die vielen Neuerungen bei Wide-Bandgap- und Silizium-Halbleitern taugten zur Goldgräberstimmung. lesen

Vier Schlüsseltechnologien für Innovationen im Jahr 2017

Technologietrends

Vier Schlüsseltechnologien für Innovationen im Jahr 2017

Die Halbleitertechnik ist die Triebfeder für Entwicklungen bei hohen Spannungen, teilautonomen Systemen in der Automobiltechnik und Robotik, bei intelligenten Gebäude- und Stadtkonzepten sowie persönlichen Elektronikgeräten. lesen

Optimierte interne Struktur senkt Schaltverluste um 64%

Full-SiC-Module

Optimierte interne Struktur senkt Schaltverluste um 64%

Optimiert für Photovoltaikanlagen, USV sowie Stromversorgungen der Industrie gibt es von ROHM jetzt zwei neue Full-SiC-Power-Module für 1200 V und 400 A/600 A als Muster und in OEM-Stückzahlen. Im März 2012 startete ROHM als weltweit erstes Unternehmen mit der Massenfertigung von Full-SiC-Power-Modulen, deren Leistungshalbleiter ausschließlich auf Siliziumkarbid basierten. lesen

Sicher vor Überstrom durch integrierte Schutzfunktionen

Buck-Regler

Sicher vor Überstrom durch integrierte Schutzfunktionen

Wie schützt man Abwärtsregler bestmöglich gegen Überstrom? Die synchronen Buck-Regler ISL850XX integrieren dazu eine Spitzen-, Tal- und Rückstrombegrenzung und vereinfachen die Entscheidung. lesen

SiC-Dioden und SiC-Power-MOSFET sind bereit für den Massenmarkt

Wide-Bandgap-Halbleiter

SiC-Dioden und SiC-Power-MOSFET sind bereit für den Massenmarkt

Im Dezember 2015 startete Littelfuse eine Initiative zur Verbreitung von SiC-Komponenten und investierte dazu in Monolith Semiconductor, ein auf die Entwicklung von SiC-Halbleitern spezialisiertes Unternehmen. lesen