Fachartikel

Von Glauben zu präzisem Wissen: Power Devices richtig beurteilen

Von Glauben zu präzisem Wissen: Power Devices richtig beurteilen

Zur Auslegung leistungselektronischer Geräte ist die genaue Kenntnis der thermischen Situation der Leistungshalbleiter unumgänglich. Doch die Bestimmung ist häufig mit mehr Tücken behaftet als erwartet. lesen

Entwicklung eines Power-Moduls für Automobil- und CAV-Antriebe

Elektromobilität

Entwicklung eines Power-Moduls für Automobil- und CAV-Antriebe

Dieser Beitrag beschreibt die Neuentwicklung eines Leistungsmoduls auf IGBT-Basis bei Infineon für Automobil-Antriebe. Im Fokus standen drei technische Anforderungen: Reduzierung der Leistungsverluste, Modulkonfektionierung und höherer Blockierstrom. lesen

Wie die Streuinduktivität Leistungshalbleiter behindert

Design-in-Unterstützung

Wie die Streuinduktivität Leistungshalbleiter behindert

Streuinduktivität erzeugt Überspannungen beim Abschalten und begrenzt die Schaltgeschwindigkeit. Es ist eine maximale Stromsteilheit einzuhalten, um Sperrspannungsgrenzen nicht zu überschreiten. lesen

Auswahl des optimalen MOSFETs für Offline-Schaltnetzteile

POWER-MOSFETs

Auswahl des optimalen MOSFETs für Offline-Schaltnetzteile

In einem typischen Schaltnetzteil ist der MOSFET für den größten prozentualen Anteil der Verluste verantwortlich. Deshalb ist die bestmögliche Auswahl des Power-MOSFET so wichtig. lesen

Worauf es beim Test von IGBT-Modulen ankommt

Worauf es beim Test von IGBT-Modulen ankommt

Ströme von einigen Kiloampere und etliche Kilovolt Spannung: Der Test von IGBT-Modulen erfordert einiges an Wissen. Der Spezialist Fixtest berichtet über seine Erfahrungen und worauf es ankommt. lesen

Call for Paper Elektrische Antriebstechnik 2018

WEITERBILDUNG

Call for Paper Elektrische Antriebstechnik 2018

Wer seine elektrische Antriebslösung bestmöglich auslegen will, nutzt und den fachlichen Austausch mit Sachkennern auf dem Praxisforum Elektrische Antriebstechnik vom 20. bis 22.3.2018 in Würzburg. lesen

Galvanisch getrennter Gate-Treiber-IC mit FluxLink

IGBT- und MOSFET-Treiber

Galvanisch getrennter Gate-Treiber-IC mit FluxLink

Neben Motor Control und Stromversorgungen gibt es eine Vielzahl von Anwendungen, für die sich die Gate-Treiber-IC SCALE-iDriver eignen. Es gibt sie nun auch für IGBTs mit Sperrpannungen von 1700 V. lesen

650-V-Superjunction-MOSFETs mit Mixed-Signal-Technologie

Power-MOSFET

650-V-Superjunction-MOSFETs mit Mixed-Signal-Technologie

MOSFETs, Gate-Treiber sowie Referenz-Designs für Motor Control und Stromversorgungen bilden die Technologie-Roadmap von D3 Semi. In +FET ist der MOSFET mit Mixed-Signal-Technologie kombiniert. lesen

Messerückblick PCIM Europe 2017

Neuvorstellungen

Messerückblick PCIM Europe 2017

Einmal mehr war die Konferenzmesse PCIM Europe das Eldorado der Leistungselektroniker. Die vielen Neuerungen bei Wide-Bandgap- und Silizium-Halbleitern taugten zur Goldgräberstimmung. lesen

Vier Schlüsseltechnologien
für Innovationen im Jahr 2017

Technologietrends

Vier Schlüsseltechnologien für Innovationen im Jahr 2017

Die Halbleitertechnik ist die Triebfeder für Entwicklungen bei hohen Spannungen, teilautonomen Systemen in der Automobiltechnik und Robotik, bei intelligenten Gebäude- und Stadtkonzepten sowie persönlichen Elektronikgeräten. lesen

Optimierte interne Struktur senkt Schaltverluste um 64%

Full-SiC-Module

Optimierte interne Struktur senkt Schaltverluste um 64%

Optimiert für Photovoltaikanlagen, USV sowie Stromversorgungen der Industrie gibt es von ROHM jetzt zwei neue Full-SiC-Power-Module für 1200 V und 400 A/600 A als Muster und in OEM-Stückzahlen. Im März 2012 startete ROHM als weltweit erstes Unternehmen mit der Massenfertigung von Full-SiC-Power-Modulen, deren Leistungshalbleiter ausschließlich auf Siliziumkarbid basierten. lesen

Sicher vor Überstrom durch integrierte Schutzfunktionen

Buck-Regler

Sicher vor Überstrom durch integrierte Schutzfunktionen

Wie schützt man Abwärtsregler bestmöglich gegen Überstrom? Die synchronen Buck-Regler ISL850XX integrieren dazu eine Spitzen-, Tal- und Rückstrombegrenzung und vereinfachen die Entscheidung. lesen

SiC-Dioden und SiC-Power-MOSFET sind bereit für den Massenmarkt

Wide-Bandgap-Halbleiter

SiC-Dioden und SiC-Power-MOSFET sind bereit für den Massenmarkt

Im Dezember 2015 startete Littelfuse eine Initiative zur Verbreitung von SiC-Komponenten und investierte dazu in Monolith Semiconductor, ein auf die Entwicklung von SiC-Halbleitern spezialisiertes Unternehmen. lesen

Mit Simulation & Design-Regeln zu besseren Power-Modulen

Aufbau- und Verbindungstechnik

Mit Simulation & Design-Regeln zu besseren Power-Modulen

Ein neuer AVT-Ansatz mit verbesserter Gehäuse- und Chip-Technologie reduziert die Modul-Induktivität und integriert den Chip zwischen einer flexiblen Leiterplatte und dem DCB-Substrat. Anwendungsbereiche wie Photovoltaik, Medizintechnik und Induktionsschweißen verlangen nach schnell schaltenden SiC-MOSFET-Leistungsmodulen. lesen

Eine hohe Zuverlässigkeit mit SiC-MOSFETs ist möglich

Angemerkt

Eine hohe Zuverlässigkeit mit SiC-MOSFETs ist möglich

Nach leichtem Rückgang im Jahr 2015 verzeichnete der Markt für Leistungs-MOSFETs 2016 eine Erholung. Insbesondere in den Branchen Automobil und Industrie haben siliziumbasierte Power-MOSFET 2016 nun das Marktvolumen von 2014 übertroffen. lesen

Lebensdauervorhersage in der Leistungselektronik

Wärmemanagement

Lebensdauervorhersage in der Leistungselektronik

Wie können Lebensdauervorhersagen für Leistungshalbleiter und thermische Interface-Materialien getroffen werden? Diese und weitere Fragen beantwortet das ZFW am 27. Juni 2017 in Stuttgart. lesen

26,5% höhere Leistungsdiche bei gleichem Platzbedarf

Power-Module

26,5% höhere Leistungsdiche bei gleichem Platzbedarf

An einem Hardware-Demonstrator zeigen die Autoren den positiven Einfluss einer kombinierten IGBT5- und .XT-Technologie auf die Leistungsdichte des Gesamtsystems. lesen

Das große Potenzial der Galliumnitrid-Halbleiter

Power-Managment

Das große Potenzial der Galliumnitrid-Halbleiter

Bei den jetzt in Serie produzierten X-GaN-GiT-Transistoren ist das Problem des Current-Collapse vollends ausgeräumt. X-GaN ist eine HEMT-Weiterentwicklung für Mainstream-Anwendungen bis 6 kW. lesen

Entwicklungen bis 2020 im
Power- und Energie-Management

Meilensteine der Elektronik

Entwicklungen bis 2020 im Power- und Energie-Management

Die Halbleiterbranche wird in den kommenden Jahren weiter mit Herausforderungen beim Energiemanagement konfrontiert, bei denen es gilt, immer mehr Energie bereitzustellen und zu speichern. lesen

Herausforderungen an Gate-Treiber
für effiziente SiC-Umrichter

Dynamische SiC-Treiber

Herausforderungen an Gate-Treiber für effiziente SiC-Umrichter

Die Treiber SKYPER 12 und 42 LJ bieten die notwendige Dynamik und Robustheit für SiC-Lösungen bis 100 kHz. 7 kV Burst-Festigkeit und 8 Mio. h Zuverlässigkeit sorgen für stabilen Feldeinsatz. lesen