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Leistungsanalyse – Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) untersuchen

Redakteur: Dipl.-Ing. (FH) Hendrik Härter

Doppelpulstests ermöglichen es, IGBT-, SiC und GaN-Bauelemente in einer sicheren Testumgebung konsistent und zuverlässig zu charakterisieren.

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Der Leistungsanalysator mit Doppelpulstester PD1500A von Keysight Technologies ermöglicht wiederholbare Messungen von Wide-Bandgab-Halbleitern (WBG).
Der Leistungsanalysator mit Doppelpulstester PD1500A von Keysight Technologies ermöglicht wiederholbare Messungen von Wide-Bandgab-Halbleitern (WBG).
(Bild: Keysight)

Der dynamische Leistungsanalysator mit Doppelpulstester PD1500A von Keysight Technologies ermöglicht wiederholbare Messungen von Wide-Bandgab-Halbleitern (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Der PD1500A ist modular aufgebaut, so dass viele Bauteiltypen getestet und verschiedene Charakterisierungstests bei verschiedenen Leistungen durchgeführt werden können.

Das nun vorgestellte erste System ermöglicht eine vollständige Charakterisierung mit Doppelpulstests und Parameterextraktion für Si- und SiC-Leistungshalbleiter mit Nennwerten bis zu 1,2 kV und 200 A. Mit zukünftigen weiteren Modulen des PD1500A können Tests an Bauteilen durchgeführt werden, die mehr Strom benötigen, wie beispielsweise GaN- und Leistungsmodule.

Eingesetzt wird der Analysator vor allem zur Charakterisierung von SiC- oder GaN-Bauelementen, da diese sowohl statisch als auch dynamisch untersucht werden müssen. So bietet das Messgerät schnelle Reaktion auf Zuverlässigkeitsprobleme. Dazu gehören Messungen von Kurzschlüssen und Lawinen. Außerdem lassen sich die Testprozesse vereinfachen und automatisieren.

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