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Si-Dioden mit SiC-Performance Leistung zuverlässig bereitstellen und schalten

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: HY-LINE)

Ultrafast-Silizium-Dioden sind in der Leistungsfaktor-Korrektur (PFC) oder in Gleichrichterschaltungen oft suboptimal, Siliziumkarbid-Dioden (SiC-Dioden) sind dagegen kostspieliger und empfindlicher, konstatiert Power-Anbieter HY-LINE. Die speziell dotierten Qspeed-Dioden (Vertrieb HY-LINE Power Components) seien hier eine elegante und preisgünstige Lösung. In Gleichrichter- oder Power-Factor-Correction-Schaltungen sind in modernen Schaltnetzteilen schnelle Dioden gefragt. Doch die Schaltgeschwindigkeit alleine ist gar nicht das Entscheidende – auch die Durchlassspannung und vor allem die beim Umschalten in Sperrrichtung auszuräumende Ladung (QRR) spielen hier eine entscheidende Rolle. Das macht bei den gängigen Ultrafast-Dioden erhebliche Probleme, führt zu zusätzlichen Verlusten sowie Überschwingern und damit Problemen mit Spannungsspitzen und Funkstörungen. SiC-Halbleiter sind wiederum weniger robust, teurer und haben eine höhere Durchlassspannung. Die Antwort von HY-LINE: Qspeed-Dioden kombinieren durch eine spezielle Dotierung die Vorzüge von Schottky- und PIN-Dioden und erreichen so Sperrspannungen bis 600 V und bis zu 30 A möglichen Dauer-Durchlassstrom. Sie sind optimal für PFC und Ausgangsgleichrichter in Schaltnetzteilen geeignet, verbessern den PFC-Wirkungsgrad um bis zu 5%, entlasten die anderen Bauteile in der Schaltung und kosten nur wenig mehr als Standard-Silizium-Dioden. Es gibt sie je nach Applikation passend in drei verschieden optimierten Baureihen – geringste Durchlassspannung, geringste Schaltverluste und geringste Funkstörungen.

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