TLS-Dicing Lasermikrobearbeitungslösung zur Halbleiterwafer-Verarbeitung

Redakteur: Dr. Anna-Lena Gutberlet

Aufbauend auf der urheberrechtlich geschützten TLS-Dicing-Technologie von 3D-Micromac, bietet das microDICE-System schnelles, sauberes und kosteneffektives Separieren von Wafern, die für modernste Halbleiter- und Energiegeräteanwendungen verwendet werden.

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3D-Micromac’s patentierte TLS-Dicing Technologie ermöglicht am Siliziumkarbid (SiC) Wafer eine präzise und artefaktfreie Separation des Wafers und des Rückseitenmetalls.
3D-Micromac’s patentierte TLS-Dicing Technologie ermöglicht am Siliziumkarbid (SiC) Wafer eine präzise und artefaktfreie Separation des Wafers und des Rückseitenmetalls.
(Bild: 3D-Micromac)

Das microDICE-System verwendet thermisch induzierte mechanische Spannung zur Trennung spröder Halbleitermaterialien wie Silizium, Siliziumkarbid, Germanium und Gallium­arsenid.

TLS-Dicing ist ein kontakt- und rückstandsfreies Verfahren, das im Vergleich zu herkömmlichen Vereinzelungstechnologien einen höheren Durchsatz, höhere Erträge und größere Funktionalität bietet. Im Vergleich zu Schneidsägen ist der Durchsatz bis zu 30-mal höher.

Die Separation erfolgt präzise und artefaktfrei ohne Abbplatzungen oder Mikrorisse oder Absonderungen von Ablagerungen (siehe Bild), da das Substrat nur erhitzt und nicht verdampft wird. Es entstehen keine negativen Auswirkungen auf die elektrische Leistung des Geräts, es kann jedoch bei einigen Anwendungen zu einer Verbesserung der Leistung führen, wie zum Beispiel der Reduzierung von Leckstrom bei Leistungsdioden. Auch die Betriebskosten seien niedriger, als das bei anderen Ansätzen der Fall ist.

Als kraft- und kontaktfreier Bearbeitungsprozess eliminiert TLS-Dicing den Werkzeugverschleiß und benötigt keine teuren Verbrauchsmaterialien für das Aufbringen einer Schutzschicht sowie die anschließende Oberflächenreinigung, was zu Kosteneinsparungen von bis zu einer oder mehreren Größenordnungen führen kann.

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