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Leistungs-MOSFET Kommt im 5 mm x 6 mm messenden Dual-Side-Cooling-Gehäuse

Redakteur: Kristin Rinortner

STMicroelectronics hat MOSFETs im PowerFLAT 5x6 DSC-Gehäuse auf den Markt gebracht, die in elektronischen Steuergeräten für den Automotive-Bereich eine höhere Leistungsdichte ermöglichen.

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(Bild: STM)

Die Bausteine STLD200N4F6AG und STLD125N4F6AG mit einer Nennspannung von 40 V von STMicroelectronics sind für Motorsteuerungs-Anwendungen, als Batterie-Verpolungsschutz und den Einsatz als leistungsfähige Leistungsschalter im Automotive-Bereich konzipiert. Das 0,8 mm hohe PowerFLAT 5x6 DSC-Gehäuse (Dual Side Cooling) entspricht hinsichtlich Größe und thermischem Design der Unterseite dem Standardgehäuse, besitzt aber eine an der Oberseite herausgeführte Source-Elektrode, um die Wärmeableitung zu verbessern. Die hierdurch mögliche Anhebung des Nennstroms sorgt für eine größere Leistungsdichte, die kompaktere ECUs ermöglicht. Mit einem maximalen Drainstrom von 120 A und maximalen Einschaltwiderständen von 1,5 bzw. 3,0 mΩ garantieren die MOSFETs hohe Energieeffizienz und tragen zur Vereinfachung des Wärmemanagements bei. Mit einer Gesamt-Gateladung von 172 bzw. 91 nC und geringen Kapazitäten sind die Voraussetzungen für effizientes Schalten mit hohen Frequenzen gegeben.

Die beiden 40-V-MOSFETs sind die ersten Bausteine einer neuen Familie auf der Basis der F6-Serie STripFET mit Trench-Gate-Struktur, die einen größeren Bereich von Nennströmen und -spannungen für Automotive-Anwendungen abdecken werden. Die MOSFETs sind für den Betrieb unter rauen Bedingungen beispielsweise im Motorraum bei Temperaturen bis zu 175 °C spezifiziert. Die Bauelemente sind zu 100% Avalanche-geprüft. Sie werden in einem Gehäuse mit Wettable-Flank-Anschlüssen angeboten, für optimale Löteigenschaften und eine vollautomatische visuelle Inspektion.

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