P-Kanal-MOSFETs der fünften Generation Klassenbester On-Widerstand

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: ROHM)

ROHM erweitert seine P-Kanal-MOSFET-Serie um 24 Modelle mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V/–60 V. Die neuen Versionen sind sowohl in Einzel- als auch in Dual-Ausführung erhältlich. Sie sind vorgesehen für Industrie- und Konsumanwendungen wie Fabrikautomation, Robotik und Klimaanlagen. Basierend auf der proprietären P-Kanal- MOSFET-Struktur nutzen die neuen Produkte eine verbessert Prozesstechnologie der fünften Generation. Damit werde laut Herstellerangaben der niedrigste Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit in ihrer Klasse erreicht. Das entspräche bei den neuen –40-V-Produkten einem um 62 Prozent niedrigeren Einschaltwiderstand gegenüber herkömmlichen Produkten und 52 Prozent bei den –60-V-Produkten. Durch Optimierung der Bauelementstruktur und einem neuen Design, das die Konzentration des elektrischen Feldes abschwächt, habe ROHM auch die Qualität der MOSFETs verbessert; dadurch konnten eine hohe Zuverlässigkeit und ein geringerer Einschaltwiderstand erreicht werden. Die P-Kanal-MOSFETs befinden sich in der Serienfertigung.

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