Infineon und Cree schließen langfristigen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

| Redakteur: Sebastian Gerstl

Siliziumkarbid-basierte Halbleiter versprechen eine höhere Effizienz als reguläre Silizium-basierte Bausteine. Dieser Halbleitertyp kommt derzeit verstärkt in der Leistungsumwandlung und in Elektrofahrzeugen zum Einsatz.
Siliziumkarbid-basierte Halbleiter versprechen eine höhere Effizienz als reguläre Silizium-basierte Bausteine. Dieser Halbleitertyp kommt derzeit verstärkt in der Leistungsumwandlung und in Elektrofahrzeugen zum Einsatz. (Bild: Infineon)

Infineon und Creehaben einen langfristigen, strategischen Liefervertrag für Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer vereinbart. Cree beliefert Infineon demnach mit SiC-Wafern von 150 Millimeter Durchmesser, passend für die modernen SiC-Fertigungslinien von Infineon.

Durch den langfristigen Liefervertrag kann Infineon sein Angebot von Siliziumkarbid-Produkten weiter ausbauen. Die resultierenden Halbleiter richten sich vorrangig an Anwendungen in der Leistungselektronik, wie beispielsweise Photovoltaik-Wechselrichter. Auch aktuelle Wachstumsmärkte wie Elektromobilität werden hierdurch adressiert.

„Wir schätzen Cree seit langer Zeit als starken und zuverlässigen Partner, der einen hervorragenden Ruf in der Branche genießt“, sagte Reinhard Ploss, CEO von Infineon. „Dank der langfristig gesicherten Versorgung mit SiC-Wafern können wir unsere strategischen Wachstumsfelder in der Automobil- und Industrieelektronik weiter stärken. Damit schaffen wir einen zusätzlichen Mehrwert für unsere Kunden.”

„Infineon ist für uns ein langjähriger, wertvoller Geschäftspartner mit einem ausgezeichneten Ruf“, sagte Gregg Lowe, CEO von Cree. „Dieser Liefervertrag bestätigt die Qualität unserer SiC-Wafer und unsere Kapazitätserweiterung. Die beschleunigte Einführung von SiC-basierten Produkten wird maßgeblich dazu beitragen, schnellere, kleinere, leichtere und leistungsfähigere elektronische Systeme zu ermöglichen.“

Siliziumkarbid-basierte Halbleiter sorgen für höhere Leistungseffizienz, die derzeit besonders in Bereichen wie Leistungsumwandlung und Elektrofahrzeugen gefragt sind. Der Bedarf stieg in den letzten Jahren kontinuierlich an. Verglichen mit siliziumbasierten Leistungshalbleitern lässt sich durch SiC-Bauelemente Energie einsparen. Außerdem ermöglicht die geringere Größe der passiven Komponenten eine höhere Systemdichte. Infineon schätzt, dass SiC-Produkte in zukünftig zudem verstärkt bei Robotik, Ladeinfrastruktur, industrielle Stromversorgung, Traktionssysteme und drehzahlveränderbare Antriebe Einsatz finden dürften.

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