Superjunction-MOSFETs und SiC-Dioden Industrietauglich und AECQ101-qualifiziert

Redakteur: Gerd Kucera

Eine neue Generation von Power-MOSFETs und SiC-Dioden für mehr Wirkungsgrad in leistungselektronischen Schaltungen zeigte und diskutierte ON Semiconductor während der digitalen PCIM 2021.

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Ein besseres Schaltverhalten, höherer Wirkungsgrad und gestigene Systemzuverlässigkeit sind Leistungsmerkmale der neuen Superjunction-MOSFETs.
Ein besseres Schaltverhalten, höherer Wirkungsgrad und gestigene Systemzuverlässigkeit sind Leistungsmerkmale der neuen Superjunction-MOSFETs.
(Bild: ON Semiconductor)

Weil Effizienz und Zuverlässigkeit in leistungselektronischen Anwendungen im Entwicklerfokus stehen, um die strengeren internationalen Standards zu erfüllen, hat ON Semiconductor MOSFETS mit der Bezeichnung 650-V-SUPERFET-III-FAST-SJ entwicklelt. Sie haben laut ON ein besseres Schaltverhalten als andere Superjunction-MOSFETs bei gleichzeitig höherem Wirkungsgrad und höherer Systemzuverlässigkeit. Diese Leistungsmerkmale seien gerade in schnell wachsenden Märkten gefragt, einschließlich 5G, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV), Telekommunikation und Server/Rechenzentren.

ON Semiconductor stellt auch neue Automotive-AECQ101- und industrietaugliche 1200-V-SiC-Dioden vor, die sich für Leistungselektronik-Anwendungen wie EV-Ladestationen und PV-Wechselrichter, USV, EV-OBCs (On-Board-Ladegeräte) und EV-DC/DC-Wandler eignen. SiC-Dioden bieten gegenüber Silizium-Lösungen erhebliche Vorteile, darunter höhere Zuverlässigkeit, weniger EMI und einfachere Kühlungsanforderungen, betont ON. Das neue Design verbessere die SiC-Dioden der ersten Generation durch eine kleinere Chip-Größe und eine geringere Kapazität. Die Typen NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C und NDSH50120C bieten einen geringeren Durchlass-Spannungsabfall und einen vierfach höheren Nennstrom bei einer höheren Anstiegsrate (di/dt) von 3500 A/µs. Die kleinere Chip-/Die-Größe sorge zudem für einen um 20% geringeren Wärmewiderstand in einem F2-Gehäuse.

ON Semiconductor diskutierte der digitalen PCIM Europe am 4. Mai 2021 in mehreren Vorträgen ihre Entwicklungen. Im Rahmen der Session „IPMs, Motion Control and Drives“ befasste sich ein Vortrag mit der dritten Generation von 650-V-IPMs für Fahrzeugantriebe. Ebenso standen Lösungen für extern gesteuertes Laden von Elektrofahrzeugen im Mittelpunkt.

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