Hochstrominduktivitäten im 2020-Gehäuse

Induktivitätsbereich von 0,1 bis 15 µH und hohe Grenzfrequenz

13.07.2009 | Redakteur: Andreas Mühlbauer

Vishay stellt eine neue Hochstrominduktivität der Serie in einem flachen Gehäuse der Größe 2020 vor. Die IHLP-2020CZ-01 hat eine Grundfläche von 5,18 mm × 5,49 mm und eine Höhe von

Vishay stellt eine neue Hochstrominduktivität der Serie in einem flachen Gehäuse der Größe 2020 vor. Die IHLP-2020CZ-01 hat eine Grundfläche von 5,18 mm × 5,49 mm und eine Höhe von 3,0 mm. Sie deckt den Induktivitätsbereich von 0,1 bis 15 µH ab und hat eine hohe Grenzfrequenz.

Die Induktivitäten erlauben Arbeitsfrequenzen bis zu 5 MHz und sind hochleistungsfähige, platz- und energiesparende Lösungen für Spannungsreglermodule (VRM) und Gleichspannungswandler-Anwendungen. Der Sättigungsstrom liegt je nach Induktivität zwischen 2,5 und 27 A, der typische Gleichstromwiderstand zwischen 3 und 252 mΩ und der maximale Gleichstromwiderstand zwischen 3,16 und 265 mΩ.

Die kann hohe Spitzenströme aufnehmen, ohne abrupt in die Sättigung zu geraten. Sie hat ein abgeschirmtes Gehäuse aus bleifreiem Kompositmaterial, das akustische Störgeräusche auf ultra-geringe Pegel reduziert, ist für den Temperaturbereich von –55 bis 125°C spezifiziert und zeichnet sich durch hohe Temperaturschock-, Feuchtigkeits-, Stoß- und Vibrationsfestigkeit aus.

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