Den Innenwiderstand von SiC-MOSFET um zwei Drittel senken

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Störfaktoren: Wenn Elektronen im SiC-Halbleiter auf Hindernisse treffen, steigt der Widerstand des Materials. Bild: Mitsubishi
Störfaktoren: Wenn Elektronen im SiC-Halbleiter auf Hindernisse treffen, steigt der Widerstand des Materials.
Störfaktoren: Wenn Elektronen im SiC-Halbleiter auf Hindernisse treffen, steigt der Widerstand des Materials.