GaAs-Leistungshalbleiter als Ergänzung zu SiC und GaN

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Bild 1: Einordnung der 35PE-GaAs-Technologie im Vergleich zu Si, SiC und GaN:Si Bild: Prof. Dr. J. Lutz, TU Chemnitz/35PE
Bild 1: Einordnung der 35PE-GaAs-Technologie im Vergleich zu Si, SiC und GaN:Si
Bild 1: Einordnung der 35PE-GaAs-Technologie im Vergleich zu Si, SiC und GaN:Si