Bild 3: Transfer- (a) und Ausgangskennlinienfelder (b) sowie Durchbruchmessung (c) eines β-Ga2O3-Leistungstransistors mit einem Gate-zu-Drain-Abstand von
Bild 3: Transfer- (a) und Ausgangskennlinienfelder (b) sowie Durchbruchmessung (c) eines β-Ga2O3-Leistungstransistors mit einem Gate-zu-Drain-Abstand von 10 µm. ( Bild: FBH )