Bild 2: Schematischer Aufbau der β-Ga2O3-Leistungstransistoren (a) sowie mikroskopische Aufnahme des Querschnitts der optimierten Gate-Topologie mit
Bild 2: Schematischer Aufbau der β-Ga2O3-Leistungstransistoren (a) sowie mikroskopische Aufnahme des Querschnitts der optimierten Gate-Topologie mit der geöffneten Si3N4-Passivierung innerhalb des Ga2O3 -Trenchs (b). ( Bild: FBH )