Leistungsbauelemente

Hohe Energieeffizienz für mobile Geräte bei reduziertem Platzbedarf

| Redakteur: Margit Kuther

StrongIRFET-MOSFETs von Infineon: Bestmögliche Energieeffizienz bei reduziertem Platzbedarf
StrongIRFET-MOSFETs von Infineon: Bestmögliche Energieeffizienz bei reduziertem Platzbedarf (Bild: Infineon)

Infineons besonders kompakte Produktfamilie der StrongIRFET-MOSFETs sind für Gleichspannungsanwendungen einschließlich batteriebetriebener Schaltungen und Gleichstrommotoren (bürstenbehaftet oder bürstenlos) ausgelegt.

Für Endanwendungen wie leichte Elektrofahrzeuge, Drohnen, E-Bikes, Elektrowerkzeuge oder Gartengeräte bieten die neuen MOSFETs von Infineon dank kompakter Medium-Can-DirectFET-Gehäuse mit optimiertem Layout hohe Energieeffizienz bei reduziertem Platzbedarf.

„Die hohe Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der DirectFET-Gehäusetechnologie werden durch das neue Layout mit reduziertem thermischen Widerstand nochmals gesteigert. In Kombination mit einem robusten Silizium-Chip verbessern die neuen StrongIRFET DirectFET-MOSFETs die Systemabmessung sowie die Effizienz und verringern die Kosten“, sagt Stephane Ernoux, Product Marketing, Power Management and Multimarket Business, Infineon Technologies.

„Damit sind sie prädestiniert für alle platzkritischen Applikationen, für die Hersteller und Anwender einen hohen Wirkungsgrad fordern.“

Die StrongIRFET-Bauelemente sind in einem Medium Can-DirectFET-Gehäuse untergebracht. Das Gehäuse mit der Möglichkeit zur doppelseitigen Kühlung soll sowohl eine hohe Leistungsdichte als auch ein gutes thermisches Management liefern.

Indem das Gate-Pad bei diesen neuen Bausteinen in der Ecke des Chips platziert wurde, ist der Source-Kontaktbereich deutlich vergrößert. Damit wurde der thermische Widerstand gegenüber der Leiterplatte im Vergleich zu den bisherigen DirectFET-Gehäusen nochmals reduziert – für eine höhere Effizienz und einen erweiterten Einsatzbereich.

Die Bauelemente sind von 40 V bis 75 V verfügbar. Sie bieten die Leistungsmerkmale der StrongIRFET-Familie wie geringen Durchlasswiderstand (R DS(on)) für geringe Leitungsverluste, hohe Stromtragfähigkeit und robustes Silizium für hohe Systemzuverlässigkeit. Die Produktfamilie wird in einem umweltfreundlichen, komplett bleifreien ROHS-konformen Gehäuse geliefert.

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