IGBT-Module

Höhere Leistungsdichte

| Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Infineon)

Infineon erweitert das Produktportfolio der IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse. Durch eine größere Chipfläche und ein angepasstes DCB-Substrat im bewährten Gehäuse konnte eine höhere Leistungsdichte erzielt werden. Typische Anwendungen für Module mit 1200 V Sperrspannung sind Antriebe, Solar-Wechselrichter und USV sowie Mittelspannungsantriebe für Module mit 1700 V Sperrspannung. Bei einer Sperrspannung von 1200 V erreicht das 62-mm-Modul einen max. Nennstrom von 600 A. Mit 1700 V Sperrspannung liegt der max. Nennstrom bei 500 A. Das Gehäuse ist mit Bodenplatte ausgestattet und entspricht bei der Bemaßung dem Industriestandard. Es kann daher leicht in bestehende Designs eingebaut werden und ermöglicht beispielsweise 20% mehr Ausgangsleistung beim Einsatz für Antriebe. Das Portfolio nutzt den IGBT4 – eine bewährte Technologie, die hohe Robustheit und Zuverlässigkeit bietet. Zwei Varianten der neuen Leistungsmodule stehen auch in der Ausführung „Common Emitter“ zur Verfügung, mit der eine 3-Level-Topologie aufgebaut werden kann.

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