Fotorelais

Hochstromrelais im DIP-8

| Redakteur: Kristin Rinortner

(Bild: Toshiba)

Toshiba erweitert sein Angebot an Fotorelais im DIP-8-Gehäuse. Zwei neue Bauteile im mittleren Spannungsbereich ermöglichen den Ersatz von mechanischen Relais.

Toshiba Electronics Europe bringt zwei Hochstrom-Fotorelais im mittleren Spannungsbereich auf den Markt. Das Fotorelais TLP3823 (100 V) erlaubt einen Dauerlaststrom von 3 A und das Relais TLP3825 (200 V) ist für einen Dauerlaststrom von 1,5 A ausgelegt.

Die Bausteine erweitern das Line-up der Hochstrom-Fotorelais und eignen sich zusammen mit dem TLP3547, das mit 60 V und 5 A spezifiziert ist, als Ersatz für mechanische Relais. Toshibas aktuelle Trench-MOSFET Technologie, die 8. Generation UMOS, realisiert Ausgangsströme von mehr als 1 A.

Die Bausteine garantieren eine Isolationsspannung von min. 2500 Veff und geringe Durchlasswiderstände (TLP3823 typ. 60 mΩ, TLP3825 typ. 250 mΩ). Dank der schnellen Ein- und Ausschaltzeiten können die Fotorelais in Anwendungen eingesetzt werden, bei denen es auf schnelles Schalten ankommt. Der erforderliche Triggerstrom liegt bei beiden Bauteilen weit unter 5 mA und wenn sie ausgeschaltet sind, weisen die Relais einen Leckstrom von weniger als 1 μA auf.

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