PhotoMOS-Relais High Power auf kleinem Raum

Redakteur: Kristin Rinortner

Die High Power PhotoMOS-Relais der Serie AQV251G von Panasonic Electric Works im 6-pin DIP/SMD-Gehäuse ermöglichen das verschleißfreie und zuverlässige Schalten von AC wie DC Niederspannungslasten

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Die High Power PhotoMOS-Relais der Serie AQV251G von Panasonic Electric Works im 6-pin DIP/SMD-Gehäuse ermöglichen das verschleißfreie und zuverlässige Schalten von AC wie DC Niederspannungslasten bis max. 30 V (peak).

Durch den Einsatz von MOSFET-Transistoren am Ausgang wird ein Übergangswiderstand (typ.) von 0,035 Ohm realisiert. Der max. Dauerlaststrom bei Raumtemperatur wird mit 3,5 A spezifiziert. Der Lastbereich beträgt 30 V/3,5 A, die I/O-Isolation 1,5 kVeff. Ein- und Ausgang sind galvanisch getrennt.

Anwendung finden die Relais in Bereichen, die eine hohe Lebensdauer und konstante elektrische Eigenschaften fordern, wie z.B. bei wartungsfreien SPS-Ausgangsmodulen, Industrieanlagen oder aufgrund des geringen Übergangswiderstands in der Messtechnik.

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