Intelligentes 600 V Vollbrücken-Modul misst lediglich 3,3 cm

21.12.2016

Neue Reverse Conducting IGBT Technologie (RC-IGBT) von Mitsubishi Electric reduziert Gehäusegröße um 30 %

Mitsubishi Electric (Vertrieb: GLYN) ergänzt seine DIP-Serie an intelligenten Power Modulen um eine neue, kleinere Dual-Inline-Package SLIMDIP Gehäuseversion.

 

Die neuen 600 V Vollbrückenmodule (6in1 Topologie) sind in 5 A Ausführung als SlimDIP-S sowie in 15 A als SlimDIP-L erhältlich.

 

Bei diesen Modulen kommen Mitsubishis „Thin-Wafer Struktur“ der 7. IGBT Generation zur Anwendung. Diese RC-IGBT Waver Technologie (Reverse Conducting IGBT Technologie) integriert IGBT und Freilaufdiode (FWD) auf nur einem Chip.

Das ermöglicht die Reduzierung der Gehäuse-Größe um 30 % im Vergleich zum bis dato kleinsten Super-Mini DIPIPM Gehäuse mit klassischer Wafer Struktur.

 

In den Modulen sind die Control ICs sowie die Bootstrap Dioden integriert. Das reduziert die Anzahl der extern benötigten Bauteile. Die Optimierung der Pin-Belegung gestattet zudem ein vereinfachtes Platinen-Layout und ermöglicht so eine weitere Systemverkleinerung.

 

Die Gehäusetemperatur konnte auf 115° C erhöht werden und gibt Anwendern mehr Freiraum bei der Auswahl der Kühlkörper.

 

Erstmalig wurde in einem IPM Modul eine automatische Temperatur Shut-Down Funktion (OT) und gleichzeitig ein Temperaturschutz-Ausgangssignal (VOT) verbaut.   

 

Die neuen Module eignen sich dank kleiner 32,8 mm × 18,8 mm Gehäuseabmessungen ideal für platzsensitive Motorsteuerungen mit bis zu 1,5 kW wie beispielsweise in Home Appliances, Lüfterantrieben und Zentrifugen.

 

Weitere Informationen sind bei Mitsubishi Distributor GLYN auf Anfrage erhältlich.

 

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Über GLYN

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