150 V GaN HEMTs Gate-Source-Nennspannung von typischen 6 V auf 8 V erhöht

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: ROHM)

ROHM hat 150-V-GaN-HEMTs mit einer Gate-Source-Nennspannung von 8 V entwickelt. Diese Bauelemente bieten damit laut Hersteller eine optimierte Lösung für Stromversorgungsschaltungen in Industrie- und Kommunikationsanwendungen. Mit Hilfe einer speziellen Konstruktion sei es gelungen, die Gate-Source-Nennspannung von typischen 6 V auf 8 V zu erhöhen. Das ermöglicht sowohl eine Vergrößerung des Gestaltungsspielraums als auch eine Erhöhung der Zuverlässigkeit von Stromversorgungsschaltungen mit GaN-Bauelementen, behont ROHM, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Neben der Maximierung der Leistungsfähigkeit von Bauelementen mit niedriger parasitärer Induktivität entwickelt ROHM auch ein spezielles Gehäuse, das die Bestückung erleichtert und eine optimierte Wärmeableitung bietet. Dies gestatte nach Herstellerangaben den einfachen Austausch bestehender Silizium-Bauelemente und erleichtere gleichzeitig die Handhabung während des Bestückungsprozesses. ROHM wird die Entwicklung von GaN-Bauelementen auf Basis dieser Technologie beschleunigen. Die Auslieferung von Mustern ist für September 2021 geplant. GaN-Bauelemente weisen bessere Schalteigenschaften und einen geringeren Durchlasswiderstand als Silizium-Bauelemente auf. ROHM konstatiert, dass sie den Stromverbrauch senken und zu einer größeren Miniaturisierung von Schaltnetzteilen in Basisstationen und Rechenzentren beitragen. Anwendungen: etwa Abwärtswandler mit 48-V-Eingang, Aufwärtswandler für den Endstufenblock von Basisstationen, Klasse-D-Verstärker, LiDAR-Treiber.

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