Mit Tastkopf und Oszilloskop GaN- und SiC-Halbleiter messtechnisch präzise analysieren

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GaN und SiC schalten in Halbleiterbauelementen wesentlich schneller als Silizium und sind gleichzeitig effizienter. Mit einem passenden Tastkopf und Oszilloskop sind zuverlässige Messungen möglich.

Tastkopf und Oszilloskop: GaN- und SiC-Halbleiter mit großer Messbandbreite analysieren.
Tastkopf und Oszilloskop: GaN- und SiC-Halbleiter mit großer Messbandbreite analysieren.
(Bild: Teledyne LeCroy )

Seit mehr als dreißig Jahren verwenden Ingenieure Silizium- (Si-)Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT), um Stromversorgungen und Stromumwandlungssysteme herzustellen.

Allerdings sind immer kleinere und leichtere Systeme für die Stromversorgung gefragt. Hinzu kommen gesetzliche Vorgaben für höhere Wirkungsgrade.

Wide-Bandgap-Materialien (WBG) wie GaN und SiC schalten in Halbleiterbauelementen mehr als zehnmal schneller als Silizium und verringern Größe und Gewicht bei gleichzeitig höherer Effizienz.

Doch setzen viel Entwickler zum ersten Mal WBG-Halbleiter ein und benötigen daher nun eine größere Messbandbreite sowie genauere und detailliertere Analysemöglichkeiten der Halbleiterbauelemente.

Optisch isolierte Hochspannungstastköpfe

Tastkopf: Die Hochspannungstastköpfe DL-ISO messen an SiC- und GaN-Leistungshalbleiter.
Tastkopf: Die Hochspannungstastköpfe DL-ISO messen an SiC- und GaN-Leistungshalbleiter.
(Bild: Teledyne LeCroy )

Hierzu bietet Teledyne LeCroy die optisch isolierten Hochspannungstastköpfe DL-ISO an, um an GaN- und SiC-Leistungshalbleiterbauelementen zuverlässig zu messen. Der Tastkopf bietet eine hohe Signaltreue, geringes Überschwingen und eine Genauigkeit von 1,5 Prozent in Kombination mit den HDO-Oszilloskopen und ihrer vertikalen Auflösung von 12 Bit.

Die Bandbreite beträgt 1 GHz und erfüllt damit die Anforderungen, um Anstiegszeiten von 1 ns bei GaN-Bauelementen zu messen.

Die HDO-Oszilloskope bieten außerdem eine Abtastrate von bis zu 20 GS/s bei einer Auflösung von 12 Bit, um sehr schnelle Signale bei GaN- und SiC-Bauelementen fehlerfrei wiederzugeben.

Das Power-Device-Softwarepaket von Teledyne LeCroy unterstützt Entwickler bei der Analyse von GaN- und SiC-Bauelementen mit automatisierten JEDEC-Schaltverlustmessungen und weiteren Messfunktionen sowie farbkodierten Overlays, um relvante gemessene Signalbereiche hervorzuheben.

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