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GaN-on-Si-Leistungstransistor: Die-Fläche halbiert und Gate Charge reduziert

Redakteur: Gerd Kucera

Auf GaN-on-Si basiert der 650-V-Transistor (70 mΩ, Enhancement Mode) von AOS, der mit handelsüblichem Si-MOSFET-Gate-Treiber angesteuert wird.

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GaN-on-Si-Leistungstransistor: entwickelt für hocheffiziente Stromversorgungen für Märkte wie beispielsweise Telekommunikation, Server und Konsumprodukte.
GaN-on-Si-Leistungstransistor: entwickelt für hocheffiziente Stromversorgungen für Märkte wie beispielsweise Telekommunikation, Server und Konsumprodukte.
(Bild: AOS)

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) hat kürzlich den 650-V-Transistor AONV070V65G1 in Galliumnitrid(GaN)-Technologie vorgestellt, das erste Produkt seiner neuen Technologieplattform in GAN. Aufgrund der Eigenschaften der GaN-Technologie zielt der AONV070V65G1 auf Anwendungen für hocheffiziente Stromversorgungen in beispielsweise den Märkten Telekommunikation und Server. Diese hocheffizienten Server-Netzteile werden benötigt, um den Kühlbedarf zu reduzieren, die Rackfläche zu maximieren und die damit verbundenen Energiekosten zu reduzieren.

Das vorgestellte 70-mΩ-Bauelement (Enhancement Mode) wird in einer vollständig qualifizierten GaN-on-Si-Substrat-Technologie hergestellt. Laut Hersteller resultiert daraus eine mehr als 50% kleinere Die-Fläche und 10fach niedrigere Gate Charge (Qg), außerdem werde die unerwünschte Body Diode Reverse Recovery Charge (Qrr) der traditionellen Silizium-MOSFET-Technologie eliminiert. Entwicklern werde durch die geringe Gate-Leakage der Technologie im On-State die Anwendung deutlich vereinfacht, den Ingenieuren sei es nun möglich, den Transistor AONV070V65G1 durch einen in großer Auswahl erhältlicher handelsüblicher Si-MOSFET-Gate-Treiber anzusteuern. Den AONV070V65G1 gibt es im thermisch verbesserten DFN8x8x8-Gehäuse mit niedriger Induktivität, das eine große Lötfläche zur Wärmeabfuhr sowie einen separaten Klevin-Sense-Pin für eine maximal optimal kontrollierbare Schaltgeschwindigkeit besitzt.

Alpha and Omega Semiconductor Limited, kurz AOS, ist Entwickler und globaler Lieferant einer breiten Palette von Leistungshalbleitern, einschließlich eines großen Portfolios von Power-MOSFET, IGBT, IPM, HVIC-, GaN/SiC-Power-ICs. AOS besitzt umfangreiches geistiges Eigentum für zahlreiche Schaltungsentwicklungen. Nach eigenen Angaben hebt sich der Halbleiterhersteller Alpha and Omega Semiconductor durch durch die Integration seiner Prozesstechnologie für diskrete und IC-Halbleiter, seines Produkt-Designs und seines Verpackungs-Knowhows vom Markt ab, um den Anforderungen an leistungsstarke Power-Management-Lösungen gerecht zu werden. Das Produktportfolio, das auch digitale Lösungen umfasst, richtet sich an Entwickler von Anwendungen mit hohem Volumina wie tragbare Computer und Fernseher.

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