Suchen

GaN Devices: Joint Venture konzentriert sich auf Space-Anwendungen

Redakteur: Gerd Kucera

Strahlungsgehärtete GaN-Leistungselektronik für missionskritische Anwendungen wie Satelliten und Avionik will das Joint Venture EPC Space entwickeln, testen und qualifizieren.

Firmen zum Thema

Eine neue Generation von Leistungswandlern soll höhere Frequenzen, Wirkungsgraden und Leistungsdichten ermöglichen.
Eine neue Generation von Leistungswandlern soll höhere Frequenzen, Wirkungsgraden und Leistungsdichten ermöglichen.
(Bild: EPC Space)

Das Joint Venture EPC Space LLC, bestehend aus den Unternehmen Efficient Power Conversion (EPC) und VPT konzentrieren sich auf die Entwicklung und Fertigung strahlungsgehärteter (Rad Hard) GaN-auf-Silizium-Transistoren und ICs, die für Satelliten- und hochzuverlässige Anwendungen vorgesehen sind.

Vom Unternehmensbereich EPC Space kommen hochzuverlässige Bauelemente für die Leistungswandlung in kritischen Raumfahrtanwendungen wie Netzteilen, Lidar (Light Detection and Ranging), Motorantriebe und Ionentriebwerke. „Diese Bauelemente auf GaN-Basis bieten gegenüber herkömmlichen Lösungen auf Siliziumbasis eine wesentlich höhere Leistungsfähigkeit“, konstatiert Alex Lidow, CEO und Mitbegründer von EPC, „die weltweite Führungsposition von VPT bei Leistungswandlern für Avionik- und Raumfahrtanwendungen ist die Ergänzung zu unserer Führungsposition im Bereich GaN-basierter Leistungselektronik. Unser Joint Venture EPC Space bringt die hohe Leistungsfähigkeit von Galliumnitrid in diesen hochzuverlässigen Markt und bietet elektrische sowie strahlungsfeste Funktionen, die über die Möglichkeiten des veralteten Rad-Hard-Silizium-MOSFETs hinausgehen.“

Dan Sable ist Gründer und CEO von VPT und fügt hinzu: „Die GaN-Technologie von EPC ermöglicht eine neue Generation von Leistungswandlern für die Raumfahrt, die mit höheren Frequenzen, Wirkungsgraden und Leistungsdichten arbeiten als jemals zuvor.“

EPC ist nach eigenen Angaben führend bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Modus und war der erste Hersteller, der Galliumnitrid-Silizium-(eGaN-)FETs als Power-MOSFET-Ersatz in Anwendungen wie DC/DC-Wandlern, drahtlose Stromversorgungen, Hüllkurvenverfolgung, RF-Übertragung, Wechselrichtern, Lidar-Fernerkundungstechnologie und Class-D- Audioverstärkern mit einer Leistung der Bausteine einführte. EPC verfügt außerdem über ein wachsendes Portfolio an eGaN-basierten integrierten Schaltungen bieten.

VPT ist Teil der HEICO Electronic Technologies Group und ein weltweiter Anbieter von DC/DC-Leistungswandler, EMI-Filter und kundenspezifischer Entwicklungsdienstleistungen für Avionik, Raumfahrt und Industrie.

Artikelfiles und Artikellinks

(ID:46658497)